云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAASP

GAASP: 作品数：34被引量：30H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：黄启圣刘洋王俊仲莉马骁宇更多>>; 相关机构：厦门大学中国科学院北京工业大学上海大晨光电科技有限公司更多>>; 相关期刊：《电信科学》《Chinese Physics Letters》《电子世界》《电源世界》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>

Effect of GaInP and GaAsP inserted into waveguide/barrier interface on carrier leakage in InAlGaAs quantum well 808-nm laser diode: 《中国光学(中英文)》2025年第1期186-197,共12页FU Meng-jie DONG Hai-liang JIA Zhi-gang JIA Wei LIANG Jian XU Bing-she; 国家自然科学基金(No.61904120,No.21972103);山西省“1331项目”;山西浙大新材料与化工研究院项目(No.2022SX-TD018,No.2021SX-AT001,002和003)。; There is nonradiative recombination in waveguide region owing to severe carrier leakage,which in turn reduces output power and wall-plug efficiency.In this paper,we designed a novel epitaxial structure,which suppresse...; 关键词：808-nm laser diode Ga_(0.55)In_(0.45)P and GaAs_(0.6)P_(0.4)insertion layers InAlGaAs quantum well carrier leakage

GaAsP与GaAlAs复合结构层对973nmLD光电性能影响研究: 《福光技术》2024年第2期6-13,共8页杨玲芳李书平; 本文基于实验样品结构,利用PICS3D模拟软件,构建了与实验样品具有同样结构的GaAs基973nm激光器,通过输出光功率、波长以及光电转化效率实现了严格的比对。在完成比对的基础上,进一步构建优化结构,将原来的上势垒层和下波导层分别换成复...; 关键词：激光器插入层光电转换效率

Multiple radial phosphorus segregations in GaAsP core-shell nanowires: 《Nano Research》2021年第1期157-164,共8页H.Aruni Fonseka Yunyan Zhang James A.Gott Richard Beanland Huiyun Liu Ana M.Sanchez; the EPSRC grants Nos.EP/P000916/1 and E P/P000886/1.The University of Warwick Electron Microscopy Research Technology Platform and the EPSRC National Epitaxy Facility are acknowledged for providing access to the equipment used.Dr.Anton Velichko is thanked for the careful reading of the manuscript.; Highly faceted geometries such as nanowires are prone toform self-formed features,especially those that are driven by segregation.Understanding these features is important in preventing their formation,understanding t...; 关键词：compound semiconductor alloys radial segregations three-fold symmetry surface chemical potential

近800nm波长张应变GaAsP/A1GaAs量子阱激光器有源区的设计: 《物理学报》2018年第6期231-243,共13页李建军; 光电子技术教育部重点实验室发展基金(批准号:PXM2017_014204_500034);北京市教委能力提升项目(批准号:PXM2016_014204_500026)资助的课题~~; 张应变GaAs_(1-x)P_x量子阱是高性能大功率半导体激光器的核心有源区,基于能带结构分析优化其结构参数具有重要的应用指导意义.首先,基于6×6 Luttinger-Kohn模型,采用有限差分法计算了张应变GaAs_(1-x)P_x量子阱的能带结构,得到了第一...; 关键词：量子阱能带结构张应变

Cs、O激活对GaAsP光阴极光谱响应特性的影响被引量：1: 《红外技术》2018年第2期189-192,共4页牛森高翔刘璐袁渊郭欣陈畅杨书宁; 为了探究Cs、O激活电流对透射式GaAsP光阴极光谱响应特性的影响,通过光谱响应测试仪测试不同Cs、O电流激活后的透射式GaAsP光阴极光谱响应曲线,结果表明,随着铯氧蒸发电流比的减小,GaAsP光阴极光谱曲线的形状会发生一定的改变,长波响应...; 关键词：GaAsP光阴极铯氧蒸发电流比光谱响应特性

中国半导体照明技术产业发展历程及未来展望被引量：1: 《电子世界》2016年第6期7-7,共1页; 全世界最早的用于商业的发光二极管于1965年诞生,制作材料为锗材料,发红外光,售价为45美元。很快又有了GaAsP材料制作的LED。1968年LED技术取得突破性发展,该技术是利用氮掺杂工艺是GaAsP器件效率提升10倍,从0.1流明/瓦到1流明/瓦,而且...; 关键词：半导体照明 GAASP 制作材料发光二极管颜色种类黄色光产业发展历程重大技术突破照明产业功率型

Voltage reduction of 808 nm GaAsP/(Al)GaInP laser diodes with GaInAsP intermediate layer: 《Journal of Semiconductors》2015年第1期105-107,共3页朱振张新李沛旭王钢徐现刚; Project supported by the National Key Basic Research Program of China(No.2013CB632801); Ga In As P layers and Ga As P/（Al） Ga In P laser diodes（LDs） have been grown on Ga As substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The Ga In As P layer, which is lattice matched to Ga As, has an intermedi...; 关键词：MOCVD GaInAsP layer heterojunction voltage reduction

高效蓝光二极管的发明——2014年诺贝尔物理学奖简介: 《物理通报》2014年第11期2-2,5,共2页本刊资料室; 2014年10月7日,诺贝尔官方网站公布,赤崎勇、天野浩和中村修二因发明"高亮度蓝色发光二极管"获得2014年诺贝尔物理学奖.发光二极管(Light Emitting Diode)简称LED.通过蓝色LED技术的应用,人类可以使用一种全新的手段产生白色光源.相比...; 关键词：诺贝尔物理学奖发光二极管官方网站公布二因磷砷化镓氮化镓正向电压半导体材料质量水平 GAASP

MOCVD生长GaAsP/GaInP量子阱材料的发光特性被引量：4: 《中国激光》2014年第5期156-159,共4页苑汇帛李林乔忠良孔令沂谷雷刘洋戴银李特张晶曲轶; 国家自然科学基金(60976038;61107054);吉林省科技发展计划项目(20100419);高功率半导体激光国家重点实验室基金; 通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析,讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波长、发光强度及半峰...; 关键词：金属有机物化学气相沉积 GaAsP/GaInP量子阱偏向角发光强度

MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料: 《人工晶体学报》2012年第S1期285-288,共4页蒋锴李沛旭张新李树强夏伟汤庆敏胡小波徐现刚; 国家高技术研究发展计划(863计划)专项(2009AA032705);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904;2009CB930503);国家自然科学基金(51021062;11134006); 设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500...; 关键词：量子阱激光器张应变非对称结构金属有机物化学气相沉积

GAASP