MOCVD生长GaAsP/GaInP量子阱材料的发光特性  

Optical Characteristics of GaAsP/GaInP Quantum Well Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

作　　者：苑汇帛 李林[1] 乔忠良[1] 孔令沂 谷雷[1] 刘洋[1] 戴银[1] 李特[1] 张晶[1] 曲轶[1] 

机构地区：[1]长春理工大学,吉林长春1300222 [2]艾强(上海)贸易有限公司,上海200052

出　　处：《中国激光》2014年第5期156-159,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金(60976038;61107054);吉林省科技发展计划项目(20100419);高功率半导体激光国家重点实验室基金

摘　　要：通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析,讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波长、发光强度及半峰全宽的影响。发现在相同生长条件下,势垒层低温生长的量子阱发光更强;降低势阱层Ⅴ/Ⅲ比可以增加样品的发光强度,同时发光的峰值波长会出现红移。相同生长条件下,样品的发光强度会随其衬底偏向角的增加而增强,半峰全宽随其衬底偏向角的增大而减小。GaAsP/GalnP quantum wells are grown on different misoriented substrates by low pressure_metal-organic chemical vapor deposition （LP_MOCVD） technique. The samples are characterized via photo luminescence （PL） spectroscopy at room temperature. The effect of the growing temperature of barrier layer, V/Ill ratio of quantum well layer and offcut substrate to emitting wavelength, PL intensity and full-width at half-maximum （FWHM） is discussed. Samples with lower barrier growing temperature shows higher PL intensity. The PL intensity will increase when the V/HI ratio of quantum well layer decreases, and the PL peak exhibits a red shift at the same time. Samples grown on substrate （100） oriented 15 off towards 〈111 〉 exhibit the highest PL intensity and narrowest FWHM.

关 键 词：金属有机物化学气相沉积 GaAsP/GaInP量子阱 偏向角 发光强度 

分 类 号：TM304.054[电气工程—电机]