张元常

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：量子点镨PL半导体自组装更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究被引量：2
《物理学报》2003年第8期2087-2091,共5页朱天伟 张元常 徐波 刘峰奇 王占国 
国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 3 );国家自然科学基金 (批准号 :60 0 760 2 4;90 10 10 0 2;90 2 0 10 3 3 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 110 70 );中国科学院知识创新重大项目 (批准号 :KJCX1 0 6 0 6)资助的课题~~
采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样...
关键词：InGaAs量子点 制备 InAlAs浸润层 自组装 量子阱 半导体 砷镓铟化合物 砷铝铟化合物 PL镨 
GaAsP混晶中的DX中心
《物理学报》1995年第8期1256-1262,共7页张元常 黄启圣 康俊勇 吴正云 余辛 
国家自然科学基金;红外物理国家重点实验室资助的课题.
用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为 0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质...
关键词：GAASP 混晶 DX中心 
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