余辛

作品数：5被引量：3H指数：1
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供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文主题：砷化镓应变量子阱铟镓砷INGAAS/GAASINGAAS更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《物理学报》《厦门大学学报（自然科学版）》《半导体光电》更多>>
所获基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构
《半导体光电》2001年第5期362-364,共3页余辛 詹华瀚 康俊勇 黄启圣 
国家自然科学基金资助项目 (6 9976 0 2 3) ;福建省自然科学基金资助项目
用Laplace缺陷谱仪 (LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中SnDX中心上电子发射引起的非指数瞬态 ,发现它们起因于混晶无序效应。与DLTS的单一谱峰比较 ,LDS谱呈现出多峰结构。由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的...
关键词：杂质缺陷 深能级 LAPLACE谱 
InGaAs/GaAs应变单量子阱的表面光伏谱被引量：1
《厦门大学学报（自然科学版）》1998年第2期182-186,共5页余辛 吴正云 黄启圣 
国家和福建省自然科学基金
采用表面光伏谱方法，测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认，分析了量子阱内子能级间的跃迁能量。
关键词：光伏谱 应变量子阱 砷化镓 INGAAS 
InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱被引量：1
《红外与毫米波学报》1997年第5期330-334,共5页吴正云 王小军 余辛 黄启圣 
国家自然科学资金;福建省自然科学基金
用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系．
关键词：光伏谱 应变量子阱 铟镓砷/砷化镓 
用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质被引量：2
《物理学报》1997年第7期1395-1399,共5页吴正云 王小军 余辛 黄启圣 
国家自然科学基金;福建省自然科学基金
采用低温光伏谱方法，研究了应变Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁，并与理论计算的结果进行比较，对光伏谱的谱峰跃迁能量随温度变化的分析，表明量子阱中的应变与温度基本无关．研究了光伏谱的...
关键词：低温光伏谱 铟镓砷 砷化镓 应变量子阱 
GaAsP混晶中的DX中心
《物理学报》1995年第8期1256-1262,共7页张元常 黄启圣 康俊勇 吴正云 余辛 
国家自然科学基金;红外物理国家重点实验室资助的课题.
用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为 0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质...
关键词：GAASP 混晶 DX中心 
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