InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱  

作　　者：吴正云[1] 王小军[1] 余辛[1] 黄启圣[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理系

出　　处：《红外与毫米波学报》1997年第5期330-334,共5页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学资金;福建省自然科学基金

摘　　要：用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系．

关 键 词：光伏谱 应变量子阱 铟镓砷/砷化镓 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学] O471.1[理学—半导体物理]