连世阳

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供职机构:厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文主题:半导体GAXASDX中心AL更多>>
发文领域:理学电子电信更多>>
发文期刊:《固体电子学研究与进展》《厦门大学学报(自然科学版)》更多>>
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N型合金半导体的低温电子喇曼散射
《厦门大学学报(自然科学版)》1999年第1期40-45,共6页连世阳 
研究了n-Ga1-xAlxAs(x>0.45)的电子喇曼散射.根据晶格动力论,讨论了Ⅲ-Ⅴ合金半导体的DX中心的物理起因.结果表明在n-Ga1-xAlxAs(x>0.22)中存在施主双稳态特性.在低温下,光感应的施主...
关键词:DX中心 电子喇曼散射 低温 半导体 N型 
n-Ga_(1-x)Al_xAs的电子喇曼散射、束缚声子和DX中心
《厦门大学学报(自然科学版)》1997年第4期535-539,共5页连世阳 徐建 骆万发 
观测到n-Ga1-xAlxAs的束缚声子和电子喇曼散射.对n-Ga1-xAlxAs进行喇曼散射实验,揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级,引起束缚声子和电子喇曼散射.在较高温...
关键词:电子喇曼散射 束缚声子 DX中心 镓铝砷 
用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质
《厦门大学学报(自然科学版)》1993年第4期434-438,共5页连世阳 杨锦赐 陈张海 廖远琰 
用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm^2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度...
关键词:半导体 杂质 散射谱 激光 
用喇曼光谱测定Ⅲ-Ⅴ族半导体带隙和载流子浓度
《固体电子学研究与进展》1992年第3期251-254,共4页杨锦赐 连世阳 张声豪 颜永美 
用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。
关键词:喇曼光谱 半导体 带隙 载流子 浓度 
Ga_(1-x)Al_xAs半导体的T0声子形变势引起共振喇曼散射
《厦门大学学报(自然科学版)》1990年第5期515-519,共5页连世阳 杨锦赐 
福建省自然科学基金
研究了Ga_(1-x)、Al_xAs 半导体的TO_1和TO_2声子的共振喇曼散射。利用半导体带隙随温度变化,使它与固定激光线调谐,曲此完成共振散射实验。按准静态近似计算共振散射曲线,并从微观散射机制讨论共振曲线最大值偏移,较好地解释实验结果...
关键词:半导体 TO声子形变势 GAALAS 
用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分
《厦门大学学报(自然科学版)》1989年第5期484-488,共5页连世阳 杨锦赐 廖远琰 
福建省自然科学基金
阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可...
关键词:喇曼光谱 半导体带隙 合金组分 
Ga_(1-x)Al_xAs晶体的共振喇曼散射和光学畸变势
《固体电子学研究与进展》1989年第2期192-196,共5页杨锦赐 王仁智 连世阳 
为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于Ga_(1-x)A1_xAs的禁带宽度随组分x和温度的变化,测量了Ga_(1-x)A1_xAs晶体的一级和二级共振喇曼散射。用线性化丸盒轨道方法(LMTO方法)计算单声子光学畸变势d_0,从共振喇曼散射的测量得到...
关键词:Ga1-xAlx As 晶体 喇曼散射 共振 
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