周长胜

作品数:9被引量:17H指数:3
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供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题:D类放大器D类音频功放共模反馈电源抑制比总谐波失真更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《固体电子学研究与进展》《微电子学》《电子技术应用》《半导体技术》更多>>
所获基金:浙江省重大科技专项资金嘉兴市科技计划项目浙江省重点科技计划浙江省科技厅项目更多>>
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一种降低高频噪声的前置全差分运算放大器被引量:2
《微电子学与计算机》2012年第8期102-106,共5页马琳 杨志飞 黄武康 周长胜 
提出了一种降低高频噪声的前置全差分放大器.运放内部采用了两组偏置电路,一组用于单位增益缓冲器电路,一组用于放大电路.为了确保电路稳定性又不增加设计难度,将单位增益缓冲器电路与共模反馈回路结合起来.设计采用HHNEC 0.18μm BCD工...
关键词:全差分放大器 单位增益缓冲器 共模反馈 D类放大器 
D类音频功放的自动增益控制系统被引量:1
《半导体技术》2010年第7期732-735,共4页许程成 周长胜 
浙江省科技厅重大科技专项基金(2006C14036)
设计实现了一种用于D类音频功率放大器中的自动增益控制系统,通过自动调整D类功放的增益,增大了D类音频功放的输入信号范围,避免了削波失真,使得D类音频功放能够在较宽信号输入范围内保持良好的总谐波失真(THD),且不影响输出功率。该...
关键词:D类音频功放 输入信号范围 自动增益控制 总谐波失真 
一种无运放电流模式带隙基准设计被引量:4
《现代电子技术》2010年第4期19-22,34,共5页胡养聪 周伟 周长胜 
2009嘉兴市科技计划资助项目:中科专项(2009AZ2002)
为满足集成电路中低功耗/低温度系数的要求,基于负反馈钳位原理,采用分段线性补偿技术,通过在高低温度段分别插入非线性电流修正项对基准进行了曲率补偿,得到一种新型的无需运放的曲率补偿电流模式带隙电压基准源。仿真得到典型工艺下...
关键词:带隙电压基准源 负反馈钳位 电流模式 无运放 分段线性补偿 
2.5W低噪声CMOSD类音频功放设计被引量:4
《固体电子学研究与进展》2010年第1期108-113,154,共7页黄武康 周长胜 袁国顺 赵海亮 
浙江省科技厅重大科技专项资助项目(2006C14036)
提出了一种基于0.5μm5VCMOS工艺的低噪声PWM调制D类音频功率放大器。该放大器在5V电源电压下以全桥方式可以驱动4Ω负载输出2.5W功率;转换效率等于87%,信噪比达94dB(负载8Ω,输出功率1W);THD+N仅0.05%(负载4Ω,输出功率1W);PSRR为68dB...
关键词:D类放大器 脉宽调制 斩波稳定 低噪声 三角波振荡器 线性度 
D类音频功放中线性三角波发生器设计
《微计算机信息》2009年第35期206-208,共3页黄武康 周长胜 袁国顺 林福坚 
基金申请人:周长胜;项目名称:低功耗D类音频功率放大器芯片设计;基金颁发部门:浙江省科技厅(2006C14036)
利用内部VDD/2基准电压产生恒定电流对电容进行充放电控制,实现了一种应用于D类功放的CMOS电流控制线性三角波发生器。理论推导和spectre仿真验证结果显示,其振荡频率与电源电压无关,而波形峰峰值随电源电压线性变化,且对结温变化、工...
关键词:三角波发生器 电源无关 线性度 D类放大器 
THD改善的D类音频功放(英文)
《半导体技术》2009年第6期594-597,共4页黄武康 袁国顺 周长胜 林福坚 
Major Scientific and Technical Special Fund of Science and Technology Department of Zhejiang Province of China(2006C14036)
提出了一种双环反馈拓扑结构的D类音频功放。通过对基于脉冲宽度调制的D类功放反馈系统的分析,指出环路参数对总谐波失真THD和电源抑制比PSRR等性能有着重要的影响,讨论了如何通过参数优化来改善一阶单环反馈D类功放的THD指标。在此基...
关键词:D类放大器 脉冲宽度调制 总谐波失真 双环反馈 电源抑制比 
D类功放中输入斩波运放电路的设计被引量:3
《半导体技术》2008年第6期520-523,538,共5页赵海亮 刘诺 周长胜 
浙江省引进消化吸收再创新重大项目基金(2006C14036)
基于n阱0.5μmDPDMCMOS工艺,完成了D类音频功放中输入斩波运算放大器的设计。分析了D类系统对输入运放的设计要求,在此基础上确定了电路采用两级全差分结构实现,并加入斩波结构降低噪声。采用PTAT电流源提供运放的偏置电流,补偿运放跨...
关键词:D类功放 斩波 输入运放 跨导温漂 
高阶∑△ADC中积分器的设计被引量:1
《电子技术应用》2008年第3期41-44,共4页朱军 龚敏 周长胜 叶英 
基于N阱0.6μm DPDM CMOS工艺,完成了高阶∑△ADC中第一级积分器的设计。分析了开关电容积分器的非理想特性,同时设计了一个对寄生电容不敏感的同相开关电容(SC)积分器,并特别采用旁路电容减小沟道电荷注入引起的谐波失真和噪声。在cade...
关键词:开关电容 积分器 电荷注入 共模反馈 
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