Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取  

Parameters Extraction of Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT

作　　者：刘诺[1] 谢孟贤[1] 石迎春 

机构地区：[1]成都电子科技大学微电子科学与工程系,成都610054

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第7期527-530,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v－E模型推导了“反向”器件模型，从直流I-V特性分析求解了Al0．3Ga0．7As／GaAsHEMT的结构参数．因非线性电行控制模型有效地反映了2DEG浓度ns随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报道基本相符．A 'reverse' device model of Al0.3Ga0.7As/GaAs HEMT is developed by using the two charge control models and the improved velocity-field characteristics. We achieve the structural parameters by the DC I-V characteristics. The results correspond well with the reported parameters[3], because the nonlinear charge control model describes the changes between 2DEGs concentration and Vg correctly.

关 键 词：反向器件 HEMT 结构参数提取 器件模型 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]