谐振带间隧道二极管  

The Resonant Interband Tunneling Diode

作　　者：刘诺[1] 谢孟贤[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子科学与工程系,四川成都610054

出　　处：《微电子学》1999年第4期282-285,共4页Microelectronics

摘　　要：谐振带间隧道二极管是一种双势垒量子阱极性器件，其突出特点在于其峰谷电流比谐振隧道二极管（属双势垒量子阱非极性器件）高。对其基本工作原理及结构进行了分析，介绍并讨论了这种结构在电路中的两项应用。The basic theory of operation for the resonant interband tunneling diode (RITD) is analyzed and the structure of the device is examined. Also, applications of RITDs are discussed in the paper.

关 键 词：带间隧道 二极管 双势垒量子阱 负微分电阻 

分 类 号：TN312.2[电子电信—物理电子学]