一种高精度CMOS带隙基准和过温保护电路  被引量:1

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作  者:徐义强[1] 刘诺[1] 涂才根[1] 

机构地区:[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054

出  处:《科协论坛(下半月)》2010年第3期70-71,共2页Science & Technology Association Forum

摘  要:在分析标准的CMOS带隙基准原理的基础上,设计了高精度、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压发生器。其特点是采用内部电压减小电源噪声的影响;通过两个串联的二极管提高,减小运放失调的影响。该电路基于CSMC0.35um DPTM工艺,使用Spectre仿真该电路得到结果为,常温下输出电压为1.23V,在-20℃~80℃温度范围内温漂为10PPM/℃,在4V到7V范围内电源抑制比为0.01V/V,达到了设计的预期目标。

关 键 词:带隙基准 温度补偿 电源抑制比 正温度系数电流 

分 类 号:TN7[电子电信—电路与系统]

 

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