自对准硅化物

作品数：17被引量：13H指数：2
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CIS生产工艺对暗电流(Dark Current)性能的影响
《集成电路应用》2021年第8期16-19,共4页秋沉沉 魏峥颖 钱俊 孙昌 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。
研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响。通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优化可减少硅氧界面载流子与声子群的散射,可大大减少Si-SiO2界面附近陷阱,从而降低CIS传感器的暗电流(Dark...
关键词：集成电路制造 CMOS图形传感器CIS 暗电流 干法刻蚀 热制程 自对准硅化物阻挡层 SAB 
MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
《电子元件与材料》2016年第1期12-17,22,共7页黄本成 刘英明 荆学珍 张北超 谢超英 
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降...
关键词：自对准硅化物 金属/半导体接触 综述 MIS结构 费米能级钉扎 肖特基势垒 
镍硅化物工艺新进展被引量：2
《微电子学》2009年第6期824-828,共5页尚海平 徐秋霞 
随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100 nm,传统自对准硅化物材料,如TiSi2和Co-Si2,由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽效应等特点,已不能满足纳米尺寸器件对硅化物材料的要求,显现出其作为自对准硅化物材料的局限性。NiSi...
关键词：自对准硅化物 一硅化镍 MOSFET 
集成电路中金属硅化物的发展与演变
《集成电路应用》2008年第9期51-52,共2页方志军 汤继跃 许志 
金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物（self-aligned silicide）工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。
关键词：大规模集成电路 金属硅化物 VLSI/ULSI 演变 自对准硅化物 制造工艺 器件技术 CMOS 
低温浸入和尖峰快速热处理对NiSi生成的影响
《集成电路应用》2007年第3期58-62,共5页Eun-Ha Kim Hali Forstner Norman Tam Sundar Ramamurthy Susan Felch 
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑制短沟道效应并尽量减小结的Rs。Ni的硅化物（NiSi）与其它的常见硅化物（例如TiSi2和...
关键词：NISI 快速热处理 自对准硅化物 短沟道效应 浸入 低温 器件结构 SIGE 
亚微米自对准硅化物工艺开发
《电子与封装》2006年第3期37-39,共3页刘允 陈海峰 
文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述。文中以实际生产为目标, 以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1 温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准。
关键词：自对准硅化物 硅化物桥 电阻率 转移曲线 RTP退火 
自对准硅化物工艺研究被引量：4
《微电子学》2004年第6期631-635,639,共6页王大海 万春明 徐秋霞 
　对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析。结果表明,随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不断提高,常规Ti和Co的自对准硅化物工艺已经不能满足器件特...
关键词：超深亚微米 CMOS器件 自对准硅化物 纳米器件 Ni自对准硅化物 
高性能42nm栅长CMOS器件被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期153-160,共8页徐秋霞 钱鹤 韩郑生 刘明 侯瑞兵 陈宝钦 蒋浩杰 赵玉印 吴德馨 
研究了20～50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术，采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器。在电源电压VDD为±1．5V下，NMOS和PMOS的饱和驱动电流，I∞分别为745μA／μm和-530μA／μm，...
关键词：42nm栅长 CMOS器件 超陡倒掺杂 灰化工艺 高选择比 高各向异性 Co/Ti自对准硅化物 
深亚微米金属硅化技术及其在设计中的应用
《集成电路应用》2003年第4期76-81,共6页沈磊 
本文在引入金属硅化物基本特性的基础上,阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物-TiSi_2和CoSi_2在深亚微米技术中形成的机理及关键点,特别介绍了所谓"自对准硅化物"形成方式(Self-Aligned Silicide-salicide)的原理及...
关键词：金属硅化物 深亚微米技术 自对准硅化物 窄线宽效应 集成电路设计 
亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究被引量：1
《微电子学》2002年第5期355-356,361,共3页王万业 徐征 刘逵 
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择...
关键词：亚微米集成电路 VLSI制造 自对准硅化物 硅化物 CMOS器件 IC工艺 
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