高性能42nm栅长CMOS器件  

作　　者：徐秋霞[1] 钱鹤[1] 韩郑生[1] 刘明[1] 侯瑞兵[1] 陈宝钦[1] 蒋浩杰[1] 赵玉印[1] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心，北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期153-160,共8页半导体学报（英文版）

摘　　要：研究了20～50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术，采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器。在电源电压VDD为±1．5V下，NMOS和PMOS的饱和驱动电流，I∞分别为745μA／μm和-530μA／μm，相应的关态漏电流Ioff分别为3．5nA／μm和-15nA／μm。NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV／Dec和34mV／V，PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mY／Dec和j7mV／V。栅长为48nm的CMOS57级环形振荡器，在1．5V电源电压下每级延迟为19．9ps。

关 键 词：42nm栅长 CMOS器件 超陡倒掺杂 灰化工艺 高选择比 高各向异性 Co/Ti自对准硅化物 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]