MIS结构

作品数：49被引量：38H指数：3
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半导体物理中各类接触的能带弯曲统一判断方法
《大学物理》2024年第10期44-49,共6页宋建军 唐艾兰 刘伟峰 
半导体物理课程中PN结、金半接触与MIS结构为常见的几种接触情况,但学生在学习这些接触类型时,常常难以将这几种不同的接触类型做同质化的统一对比分析,不能形成统一的知识体系,造成了理解上的混乱.本文提出一种适用于各类接触情况的能...
关键词：半导体物理 内建电场 能带弯曲 金半接触能带 MIS结构能带 
对MIS结构热弛豫时间的分析计算
《电气电子教学学报》2024年第1期137-140,共4页程骏骥 朱麒瑾 徐子逸 王俊凯 杨洪强 
中国博士后科学基金(2020M683286);四川省科技计划(2021YJ0373);上海交通大学-西安电子科技大学教育部重点实验室联合基金(LHJJ/2021-01);广东省基础与应用基础研究基金(2021A1515011412);电子科技大学课程思政示范课建设项目(2021KCSZ0127)。
对MIS(金属-绝缘层-半导体)结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度x d0、强反型时耗尽区最大宽度x dm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度N D等...
关键词：半导体物理 MIS结构 热弛豫时间 
松下研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管
《半导体信息》2018年第2期7-8,共2页
松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，栅极电压高达10V，工作电流在20A，击穿电压达到730V。
关键词：功率晶体管 MIS结构 GaN SI基 研发 松下 栅极电压 工作电流 
薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性被引量：1
《应用科技》2017年第1期40-44,共5页高梓喻 蒋永吉 李曼 郭宇锋 杨可萌 张珺 
国家自然科学基金项目(61574081);教育部博士点基金项目(20133223110003);江苏省自然科学基金项目(BK20130778);江苏省工业支撑计划项目(BE2013130);国家重点实验室基金项目(KFJJ201403)
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容...
关键词：硅膜厚度 MIS结构 电容-电压特性 绝缘层固定电荷 
MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展
《电子元件与材料》2016年第1期12-17,22,共7页黄本成 刘英明 荆学珍 张北超 谢超英 
介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降...
关键词：自对准硅化物 金属/半导体接触 综述 MIS结构 费米能级钉扎 肖特基势垒 
GaAsMIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质
《纳米科技》2015年第3期12-15,共4页高娴 唐吉龙 房丹 王双鹏 赵海峰 魏志鹏 方铉 王晓华 徐志堃 马晓辉 
使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAs Schottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD） 插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaA...
关键词：Be掺杂GaAs GaAsMIS结构 I-V 肖特基势垒高度 理想因子 
Al2O3绝缘栅SiC MIS结构基本特性的研究被引量：1
《科学通报》2011年第11期822-827,共6页刘莉 杨银堂 马晓华 
西安电子科技大学2010年校内基本科研业务费资助项目(K50510250008)
采用原子层淀积（ALD）方法在4H-SiC（0001）8°N-/N＋外延层上制备了超薄（~4nm）Al2O3绝缘栅高介电常数SiCMIS电容.通过对Al2O3介质膜以及Al2O3/SiC界面微结构和电学特性分析表明,实验所得Al2O3介质膜具有较好的体特性和界面特性,Al2O...
关键词：AL2O3 SIC MIS电容 栅泄漏电流 C-V特性 
环氧树脂/碳钢电极在硫酸溶液中的半导体导电行为被引量：6
《物理化学学报》2008年第7期1277-1282,共6页王超 钟庆东 周国治 鲁雄刚 
国家自然科学基金(50571059、50615024);2007教育部新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-07-0536);教育部创新团队计划(IRT0739)资助
采用电位-电容测试和Mott-Schottky分析技术研究了环氧树脂/碳钢电极在0.5mol·L-1硫酸中腐蚀失效过程中的半导体导电行为.环氧树脂在刚刚浸入溶液时(10min)为绝缘体,随着浸泡时间延长,由于离子的腐蚀,环氧树脂外层逐渐转变为n型半导体...
关键词：环氧树脂 Mott-Schottky分析 腐蚀 半导体行为 MIS结构 反型态 
高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
《半导体技术》2008年第S1期98-101,共4页周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 
国家"973"重点基础研究项目(61363)
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响...
关键词：ALGAN/GAN HEMT BST MIS 高介电材料 
GaN基紫外探测器的电子辐照效应被引量：12
《红外与激光工程》2008年第2期270-273,共4页白云 邵秀梅 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅 
用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量...
关键词：GAN PL MIS结构 PIN 电子辐照 
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