松下研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管  

出　　处：《半导体信息》2018年第2期7-8,共2页Semiconductor Information

摘　　要：松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，栅极电压高达10V，工作电流在20A，击穿电压达到730V。

关 键 词：功率晶体管 MIS结构 GaN SI基 研发 松下 栅极电压 工作电流 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]