云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王双鹏

王双鹏: 作品数：16被引量：22H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>; 发文主题：ZNOP型盖层温度稳定性自然数更多>>; 发文领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>; 发文期刊：《红外与激光工程》《光谱学与光谱分析》《发光学报》《材料导报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高功率半导体激光国家重点实验室基金国家教育部博士点基金更多>>

PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2: 《红外与激光工程》2016年第4期212-215,共4页陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏; 国家自然科学基金(61076039,61204065,61205193,61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(20112216120005);吉林省科技发展计划(20121816,201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115); 研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表...; 关键词：氮化铝等离子增强原子层沉积生长速率结晶化表面粗糙度沉积温度

扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2015年第7期1787-1790,共4页陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏; 国家自然科学基金项目(61076039,61204065,61205193,61307045,61404009,61474010);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20112216120005);吉林省科技发展计划项目(20121816,201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金项目(9140C310104110C3101,9140C310102130C31107,9140C3101024C310004,9140C310101120C031115)资助; 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响...; 关键词：扩散掺杂 P型ZNO P掺杂原子层沉积光致发光

ZnO/ZnFe_2O_4复合纳米粒子的制备及其特性研究被引量：3: 《红外与激光工程》2015年第7期2110-2115,共6页高娴贾慧民方铉刘鹤唐吉龙房丹王双鹏赵海峰李金华方芳楚学影王菲王晓华徐莉马晓辉魏志鹏; 国家自然科学基金(61076039;61204065;61205193;61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(20112216120005);吉林省科技发展计划(20121816;201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115); 利用水热法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。研究结果表明,退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子表现出更好的形貌和晶体质量,主要由六...; 关键词：ZNO ZNFE2O4 纳米复合结构光催化特性

GaAsMIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质: 《纳米科技》2015年第3期12-15,共4页高娴唐吉龙房丹王双鹏赵海峰魏志鹏方铉王晓华徐志堃马晓辉; 使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAs Schottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD）插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaA...; 关键词：Be掺杂GaAs GaAsMIS结构 I-V 肖特基势垒高度理想因子

扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展被引量：1: 《材料导报》2014年第23期28-33,共6页陈芳魏志鹏刘国军唐吉龙房丹方铉高娴赵海峰王双鹏; 国家自然科学基金(61076039;61204065;61205193;61307045);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C-031115); 半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因...; 关键词：扫描近场光学显微技术半导体材料超高空间高分辨率

以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn(1-x)O纳米纤维及其光学性质研究被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2014年第12期3197-3200,共4页贾慧民唐吉龙方铉王双鹏赵海峰房丹王晓华方芳李金华楚学影魏志鹏马晓辉徐莉; 国家自然科学基金项目(61076039,61204065,61205193,61307045);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20112216120005);吉林省科技发展计划项目(20121816,201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金项目(9140C310101120C031115)资助; 采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纳米纤维,并以其为模板采用原子层沉积(ALD)方法制备不同Mg掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。研究了不同Mg掺杂浓度对复合纳米纤维结构和光学性质的影响。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、光致发...; 关键词：Mg掺杂ZnO PVP 纳米纤维静电纺丝 ALD

基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器被引量：2: 《发光学报》2014年第11期1291-1296,共6页郑剑乔倩张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏陈星姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振; 国家重点基础研究发展计划(2011CB302006;2011CB302002);国家自然科学基金(11134009;61376054;11174273;11104265;61177040)资助项目; 在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面...; 关键词：立方MgZnO 深紫外探测器光导增益

梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长被引量：1: 《发光学报》2014年第9期1040-1045,共6页郑剑张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振; 国家重点基础研究发展计划(2011CB302006;2011CB302002);国家自然科学基金(61376054;11174273;11104265;61177040)资助项目; 为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 ...; 关键词：立方MgZnO 缓冲层带隙调制

硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响被引量：2: 《发光学报》2014年第7期795-799,共5页赵鹏程张振中姚斌李炳辉王双鹏姜明明赵东旭单崇新刘雷申德振; 国家"973"计划(2011CB302002;2011CB302005);国家自然科学基金(11134009;11074248;11104265)资助项目; 利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄...; 关键词：ZNO B/N共掺 P型掺杂

m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究(英文): 《发光学报》2014年第6期678-683,共6页郑剑张振中张吉英刘益春王双鹏姜明明陈星李炳辉赵东旭刘雷王立昆单崇新申德振; 国家重点基础研究发展计划(2011CB302006,2011CB302002);国家自然科学基金(11134009,61376054,11174273,11104265,61177040)资助项目; 由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬...; 关键词：立方MgZnO (110)取向日盲紫外探测器 MOCVD

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