GaAsMIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质  

作　　者：高娴[1] 唐吉龙[1] 房丹[1] 王双鹏[2] 赵海峰[2] 魏志鹏[1] 方铉[1] 王晓华[1] 徐志堃[3] 马晓辉[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [2]中国科学院长春光机所发光学及应用国家重点实验室,吉林长春130033 [3]哈尔滨师范大学,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《纳米科技》2015年第3期12-15,共4页

摘　　要：使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAs Schottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD） 插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.

关 键 词：Be掺杂GaAs GaAsMIS结构 I-V 肖特基势垒高度 理想因子 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]