PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）  

Effect of deposition temperature on the structural and surface properties of Al N by plasma enhanced atomic layer deposition

作　　者：陈芳[1] 方铉[1] 王双鹏[2] 牛守柱 方芳[3] 房丹[1] 唐吉龙[1] 王晓华[1] 刘国军[1] 魏志鹏[1] 

机构地区：[1]长春理工大学光电工程学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [2]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,吉林长春130022 [3]南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,广西南昌330047

出　　处：《红外与激光工程》2016年第4期212-215,共4页Infrared and Laser Engineering

基　　金：国家自然科学基金(61076039,61204065,61205193,61307045);高等学校博士学科点专项科研基金(20112216120005);吉林省科技发展计划(20121816,201201116);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115)

摘　　要：研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。The influence of growth temperature on the properties of aluminum nitride （A1N） films are grown by plasma enhanced atomic layer deposition （PEALD） at different deposition temperature. NH3 and trimethylaluminum （TMA） were used as precursors, 200, 500, 800, 1 000, 1 500 cycles AlN layers were deposited at 300 ℃, 350 ℃ and 370 ℃, the growth rate, crystallinity and surface roughness were discussed. Deposition rate and crystallization of the films increased whereas the surface roughness decreased in the growth temperature range of 300-370 ℃.

关 键 词：氮化铝 等离子增强原子层沉积 生长速率 结晶化 表面粗糙度 沉积温度 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]