白云

作品数:8被引量:35H指数:3
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发文主题:ALGAN紫外探测器GAN电子辐照Γ辐照更多>>
发文领域:电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊:《半导体光电》《红外与毫米波学报》《红外与激光工程》《激光与红外》更多>>
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GaN基紫外探测器的电子辐照效应被引量:12
《红外与激光工程》2008年第2期270-273,共4页白云 邵秀梅 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅 
用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量...
关键词:GAN PL MIS结构 PIN 电子辐照 
AlGaN肖特基紫外探测器的γ辐照效应被引量:1
《半导体光电》2008年第1期20-22,40,共4页白云 李雪 张燕 龚海梅 
对AlGaN肖特基紫外探测器件用不同剂量的γ射线进行辐照,测量了器件辐照前后的电流-电压特性、电容-频率曲线和响应光谱曲线的变化。实验发现γ辐照对器件的暗电流没有产生大的影响,但大剂量的辐照有使肖特基势垒高度降低的趋势。同时...
关键词:Γ辐照 ALGAN 肖特基势垒 
256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像被引量:5
《红外与毫米波学报》2008年第1期7-11,共5页吕衍秋 韩冰 白云 徐萌 唐恒敬 孔令才 李雪 张永刚 龚海梅 
国家自然科学基金重点资助项目(50632060)
报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012cmHz1/2W-1.测试...
关键词:探测器 焦平面 INGAAS 钝化 扫描成像 
紫外双光谱演示成像系统设计
《激光与红外》2007年第10期1074-1077,共4页黄翌敏 许金通 赖雪峰 陈亮 白云 李向阳 任仁 龚海梅 
文章利用AlGaN基双色线列探测器研制了一种紫外双光谱演示成像系统,其工作波段为250—280nm和330—365nm。系统采用探测器一维并扫的扫描方式,能够对0~360°视场进行周视成像。针对双色线列探测器,专门研制了对线视场进行优化设计...
关键词:紫外成像 双光谱 ALGAN 
AlGaN/GaN P-I-N紫外探测器的电子辐照效应
《激光与红外》2007年第9期867-869,873,共4页白云 邵秀梅 张燕 李向阳 龚海梅 
制备了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器。用能量为0.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×1014,5×1015和5×1016n/cm2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的电子辐照对Al0.1Ga0.9...
关键词:ALGAN P-I-N 电子辐照 MIS结构 
GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应被引量:1
《激光与红外》2007年第B09期957-960,共4页白云 邵秀梅 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅 
制备了GaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为5×1014cm-2和2×1015cm-2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的质子辐照对GaN基紫外探测器件性能的影响。I-V特性表明,辐照...
关键词:GAN PIN结构 质子辐照 PL谱 RAMAN谱 
低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响被引量:1
《强激光与粒子束》2007年第2期301-304,共4页白云 乔辉 李向阳 龚海梅 
上海市科学技术委员会部分资助课题(011661082;OIQA14045)
研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响。经过剂量为1Mrad的辐照后,器件的性能下降。对经过辐照的器件进行低温退火,退火温度范围为313~333K.退火时间在5~16h之间不等。在相同条件下测量了器件辐照前后及不同...
关键词:Γ辐照 HGCDTE 退火 辐照效应 
空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展被引量:18
《激光与红外》2006年第11期1009-1012,共4页张燕 龚海梅 白云 陈亮 许金通 汤英文 游达 赵德刚 郭丽伟 李向阳 
文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先,介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况,包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷;然后,评述了目前在空间使用的紫外探测器状况,以及在未来的空间应用...
关键词:紫外探测 空间应用 ALGAN 焦平面探测器 
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