云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杨洪强

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基于选区外延法的单片异质集成GaN/Si的研究: 《微电子学》2024年第4期558-563,共6页程骏骥戚翔宇王思亮王鹏黄伟胡强杨洪强; 中国博士后科学基金(2020M683286)。; 将GaN器件与Si集成电路进行单片异质集成是当前微电子领域的前沿研究方向之一,而直接从材料定义系统的选区外延法是其中最具潜力的技术途径。针对选区外延法的实施过程中,选区外延GaN的高温过程会严重影响已制Si集成电路功能的问题,提...; 关键词：GaN/Si单片异质集成选区外延热扩裕量预留技术

一种具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的1200 V/20 A SiC MPS: 《微电子学》2024年第1期141-144,共4页易波徐艺马克强王思亮蒋兴莉胡强程骏骥杨洪强; 中国博士后科学基金资助项目(2020M683661XB)。; 通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特...; 关键词：SiC MPS 泄漏电流高温漏电浪涌电流能力

对MIS结构热弛豫时间的分析计算: 《电气电子教学学报》2024年第1期137-140,共4页程骏骥朱麒瑾徐子逸王俊凯杨洪强; 中国博士后科学基金(2020M683286);四川省科技计划(2021YJ0373);上海交通大学-西安电子科技大学教育部重点实验室联合基金(LHJJ/2021-01);广东省基础与应用基础研究基金(2021A1515011412);电子科技大学课程思政示范课建设项目(2021KCSZ0127)。; 对MIS(金属-绝缘层-半导体)结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度x d0、强反型时耗尽区最大宽度x dm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度N D等...; 关键词：半导体物理 MIS结构热弛豫时间

具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2003年第9期977-982,共6页杨洪强郭丽娜郭超韩磊陈星弼; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 4 1)~~; 介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI LDMOS的精确解析设计方法 .在对电场分析的基础上 ,提出了新的电离率模型 ,并求出了电离率积分的准确路径 ,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系 .模拟结果表...; 关键词：SOI 电阻场板横向双扩散MOS管埋氧层电离率击穿电压比导通电阻

Improvement of Electrical Performance of SOI-LIGBT by Resistive Field Plate: 《Journal of Semiconductors》2002年第10期1014-1018,共5页杨洪强韩磊陈星弼; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 41)~~; The electrical performance including breakdown voltage and turn-off speed of SOI-LIGBT is improved by incorporating a resistive field plate (RFP) and a p-MOSFET.The p-MOSFET is controlled by a signal detected from a p...; 关键词：resistive field plate dynamic controlled anode-short turn-off time breakdown voltage forward voltage drop

A Novel SPIC with a Simple APFC Circuit: 《Journal of Semiconductors》2002年第8期813-816,共4页韩磊叶星宁成民杨洪强; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 41)~~; A novel SPIC(smart power IC) with a simple APFC(active power factor correction) circuit on one chip is proposed.The V _ bus (bus voltage) with high power factor falls from 600V to 400V by using a delay circuit in w...; 关键词：APFC SPIC duty cycle bus voltage

一种新型的荧光灯电子镇流器用振荡电路的简易实现方法: 《电子器件》2002年第4期313-318,共6页郭丽娜成民杨洪强陈星弼; 本文针对预热式荧光灯 ,提出了一种应用于电子镇流器的可以实现荧光灯工作需要的频率变化曲线的CMOS方波发生器电路。该电路用于电子镇流器的智能功率集成电路中的控制部分 ,不仅完成了荧光灯在预热、启动及正常发光各阶段的频率要求 ,...; 关键词：电子镇流器智能功率集成电路频率变化曲线 CMOS方波发生器预热荧光灯

A High Speed IGBT Based on Dynamic Controlled Anode-Short: 《Journal of Semiconductors》2002年第4期347-351,共5页杨洪强陈星弼; 国家自然科学基金资助项目 ( No.6 9776 0 41)~~; IGBT with high switching speed is described based on the dynamic controlled anode- short,which incorpo- rates a normally- on,p- MOSFET controlled by the anode voltage indirectly.This device works just as normal when ...; 关键词：dynamic controlled anode- short turn- off time forward voltage drop

半桥式功率输出级中高速低功耗低侧管的实现被引量：4: 《电子学报》2001年第6期814-815,共2页杨洪强陈星弼; 国家自然科学基金!(No 6 9776 0 41); 本文提出了一种动态地控制IGBT阳极短路的结构 ,并把这种结构用于具有高低侧驱动和半桥式功率输出级的功率集成电路低侧管中 .这种结构使得功率输出级低侧管导通时工作于IGBT模式 ,关断过程中工作于MOS模式 ,因而具有导通压降小、关断...; 关键词：功率集成电路动态控制阳极短路高低侧驱动半桥式功率输出低侧管晶体管

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杨洪强