一种具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的1200 V/20 A SiC MPS  

A 1200 V/20 A SiC MPS with Low Leakage Current and High Surge Current Capability

作　　者：易波[1] 徐艺 马克强 王思亮 蒋兴莉 胡强 程骏骥 杨洪强[1] YI Bo;XU Yi;MA Keqiang;WANG Siliang;JIANG Xingli;HU Qiang;CHENG Junji;YANG Hongqiang(School of Integr.Circ.Sci.and Engineer.,Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China,Chengdu 611731,P.R.China;Chengdu Semi-Future Technology Co.,Ltd.,Chengdu 611731,P.R.China)

机构地区：[1]电子科技大学集成电路科学与工程学院,成都611731 [2]成都森未科技有限公司,成都611731

出　　处：《微电子学》2024年第1期141-144,共4页Microelectronics

基　　金：中国博士后科学基金资助项目(2020M683661XB)。

摘　　要：通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特基界面的最强电场强度仅为1.25 MV/cm。研制的MPS的泄漏电流仅为4.3μA(@25℃)和13.7μA(@175℃)。并且25℃和150℃下测试的浪涌电流高达258 A和252 A,约为额定电流的13倍。A 1200 V/20 A SiC MPS with hexagonal cell realizing low leakage current and high surge current was fabricated through implantation optimization.Under 25℃and 175℃test condition,the results show that its on-state voltage drop(V_(F))is 1.48 V and 2.03 V,respectively.Owing to optimized implantation and layout design,the maximum electric field at the Schottky contact is only 1.25 MV/cm at 1200 V.Correspondingly,the leakage current of the device@1200 V is only 4.3μA(@25℃)and 13.7μA(@175℃),respectively.Moreover,its surge current capability at 25℃and 150℃reaches 258 A and 252 A,which is about 13 times of the rated current.

关 键 词：SiC MPS 泄漏电流 高温漏电 浪涌电流能力 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]