MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展  

Research progress of MIS for source/drain contact resistance reduction

作　　者：黄本成[1,2] 刘英明[2] 荆学珍[2] 张北超 谢超英[1] 

机构地区：[1]上海交通大学材料科学与工程学院,上海200240 [2]中芯国际集成电路制造有限公司技术研究与发展中心,上海201203

出　　处：《电子元件与材料》2016年第1期12-17,22,共7页Electronic Components And Materials

摘　　要：介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法,总结了MIS结构实验研究的最新进展,讨论了MIS结构的局限性与不足之处,并展望了MIS结构在未来的发展方向。A novel method reducing MIS contact resistance in MOSFET is introduced, which reduces the contact resistance by inserting a thin dielectric layer between metal and semiconductor to form metal-interracial layer-semiconductor （MIS）. The development of process for contact resistance reduction is briefly reviewed. The basic physics models and the methods of simulation and calculation are reviewed; the experimental research progress is summarized. Advantages and drawbacks of MIS are discussed. And ends with an outlook in the future direction of MIS is forecasted.

关 键 词：自对准硅化物 金属/半导体接触 综述 MIS结构 费米能级钉扎 肖特基势垒 

分 类 号：TN710[电子电信—电路与系统] TN432