电容-电压特性

作品数：26被引量：27H指数：3
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SiO_(2)掺杂对ZnO-Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷电学性能的影响被引量：2
《硅酸盐学报》2022年第9期2366-2373,共8页刘建科 陈姣姣 曹文斌 苏锦锋 李智智 徐荣凯 刘士花 
国家自然科学基金(51802183)资助。
在ZnO-Bi_(2)O_(3)-MnO_(2)-Cr2O_(3)基础上掺杂不同含量的SiO_(2),采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学...
关键词：二氧化硅 氧化锌 压敏陶瓷 晶界势垒 非线性系数 电容-电压特性法 
电场对含空位缺陷硅结构影响的第一性原理研究
《电子元件与材料》2018年第3期10-17,共8页秦汉 盛洁 李雷 朱灿焰 毛凌锋 
国家自然科学基金项目(61076102;61272105);江苏省自然科学基金项目(BK2012614);江苏省高校自然科学研究面上项目(15KJB510027);江苏省自然科学青年基金项目(BK20170346)
用分子动力学模拟和第一性原理计算分析方法,研究电场对含空位缺陷硅结构的影响。分子动力学结果表明,硅(100)晶面处的空位数量,总体随着电场强度的增强而增加。当电场在8.90×10~6 V/cm和1.35×10~7 V/cm之间时,空位数达到最大饱和数值...
关键词：硅晶体 电场 空位缺陷 带隙 电容-电压特性 隧穿电流密度 
薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性被引量：1
《应用科技》2017年第1期40-44,共5页高梓喻 蒋永吉 李曼 郭宇锋 杨可萌 张珺 
国家自然科学基金项目(61574081);教育部博士点基金项目(20133223110003);江苏省自然科学基金项目(BK20130778);江苏省工业支撑计划项目(BE2013130);国家重点实验室基金项目(KFJJ201403)
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容...
关键词：硅膜厚度 MIS结构 电容-电压特性 绝缘层固定电荷 
添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响
《材料导报》2014年第24期9-13,共5页景亚霓 钟传杰 
国家自然科学基金(60776056)
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原...
关键词：等离子增强化学气相淀积 氮化硅 氢气添加 光学带隙 高频电容-电压特性 
肖特基结的制备与势垒测量
《物理实验》2011年第12期27-29,共3页崔益民 陈彦 裴朝 潘晖 张高龙 钱建强 李华 
采用磁控溅射方法在Nb0.7%-SrTiO3基片上制作Au薄膜接触,并在氧气气氛下750℃退火30min,在室温环境下测量电流-电压和电容-电压等特性曲线,观测整流特性,根据相应实验数据采用饱和电流法、电容C-2与反偏电压V成线性关系计算肖特基势垒...
关键词：肖特基势垒 电流-电压特性 电容-电压特性 势垒高度 
GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文)被引量：1
《红外与毫米波学报》2010年第3期161-166,共6页储开慧 张文静 许金通 李向阳 
Supported by National Natural Science Foundation of China(60708027)
研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器...
关键词：电容-电压特性 肖特基器件 GAN基材料 
引入基态施主能级分裂的SiC基MOS电容模型
《固体电子学研究与进展》2010年第1期150-154,共5页戴振清 杨瑞霞 
河北科技师范学院博士基金资助项目
基态施主能级分裂因素被引入了SiC基MOS电容模型。考虑到能级分裂后,电容C-V特性曲线平带附近的Kink效应,得到有效减弱;并且能级分裂对C-V特性的影响,随掺杂浓度的增加和温度的降低而增强,同时也与杂质能级深度相关。对于耗尽区和弱积累...
关键词：基态施主能级分裂 碳化硅 金属氧化物半导体电容 电容-电压特性 表面电荷 
N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
《固体电子学研究与进展》2009年第2期179-182,248,共5页施煜 刘晗 董琳 孙清清 丁士进 叶培德 张卫 
国家自然科学基金资助项目(60628403,60776017)
采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试...
关键词：铪铝氧介质 原子层淀积 淀积后退火 电容-电压特性 
混沌电路电容参数的选择优化被引量：1
《物理实验》2009年第2期45-46,共2页王宇清 杨文明 
通过测试蔡氏电路中关键元件的电压特性关系,给出了混沌电路稳定出现八倍周期分岔现象时电路对元件性能的要求.实验发现相移电容的电压稳定性是实验的关键.
关键词：蔡氐电路 混沌 倍周期 电容-电压特性 
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
《Journal of Semiconductors》2008年第4期770-773,共4页闾锦 陈裕斌 左正 施毅 濮林 郑有炓 
国家自然科学基金(批准号:60225014;90606021;60676006);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB0L1000)资助项目~~
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这...
关键词：异质纳米晶 非易失浮栅存储器 电容-电压特性 自组织生长 选择化学刻蚀 
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