GAN基材料

作品数：23被引量：53H指数：3
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GaN基材料的低温外延技术被引量：1
《科学通报》2023年第14期1762-1776,共15页余佳东 罗毅 汪莱 王健 郝智彪 孙长征 韩彦军 熊兵 李洪涛 
国家重点研发计划(2017YFA0205800);国家自然科学基金(61904093,62150027,61974080,61822404,61975093,61991443,61927811,61875104)资助。
GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射频微波器件的制备.传统的GaN基材料通常是利用金属有机物化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延等在蓝...
关键词：GAN基材料 低温外延 外场耦合裂解 物理气相沉积 化学气相沉积 
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件被引量：3
《人工晶体学报》2020年第11期2046-2067,共22页贲建伟 孙晓娟 蒋科 陈洋 石芝铭 臧行 张山丽 黎大兵 吕威 
国家杰出青年科学基金(61725403);国家重点研发计划(2016YFB0400904);国家自然科学基金面上项目(61874118);苏州纳米所开放课题;发光学及应用国家重点实验室开放课题(SKLA-Z-2020-04)。
AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展。以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长...
关键词：AlGaN基材料 外延生长 掺杂 紫外发光器件 紫外探测 
In组分变化对GaN基材料光学性质影响第一性原理研究
《牡丹江师范学院学报（自然科学版）》2019年第3期36-40,共5页刘鑫 代广珍 姜永召 刘宇航 韩名君 
国家自然科学基金项目(61306108;61172131;61271377);安徽工程大学青年人才引进基金项目(s022014019);安徽工程大学国家自然科学基金预研项目(KZ40000255)
研究组分变化中InxGa1-xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1-xN材料In组分含量,获得计算模型.计算结果表明,随着In组分的增加,价带结构发生改变,从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及...
关键词：GAN基材料 第一性原理 光学特性 
金刚石基氮化镓(GaN)技术的未来展望
《超硬材料工程》2018年第6期15-15,共1页百度新闻 
近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,是近20余年以来...
关键词：GAN基材料 氮化镓 宽禁带半导体材料 金刚石 大功率微波 毫米波器件 展望 技术 
GaN基材料中V型缺陷对LED光电性能的影响
《厦门大学学报（自然科学版）》2018年第3期383-389,共7页汪 洋 
发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一...
关键词：GAN 发光二极管 V型缺陷 
石墨烯应用于GaN基材料的研究进展被引量：3
《发光学报》2016年第7期778-785,共8页徐昌一 
国家自然科学基金(61204070)资助项目
石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为"继硅之后最重要的半导体材料"。将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合,发挥两种材料体系的优势,将为...
关键词：石墨烯 GAN材料 石墨烯GaN接触 
GaN基材料和器件的质子辐照效应被引量：1
《半导体技术》2016年第7期514-519,共6页谷文萍 张进成 张林 徐小波 刘盼芝 
国家自然科学基金资助项目(61504011);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(310832161002);陕西省自然科学基金资助项目(2014JQ8344;2015JM6357);大学生创新创业训练资助项目(201510710037)
由于综合性能优势,GaN基功率器件更适合于卫星电子系统等空间设备中射频功率放大模块的发展需求。因此,GaN基器件及材料的辐照效应研究显得尤为重要。通过对GaN基材料和器件进行质子辐照研究,可以发现,低注量辐照增加了GaN材料的载流子...
关键词：AlGaN/GaN异质结构 质子辐照 材料表征 受主缺陷 去载流子效应 
纳米压印制备的光子晶体结构对AlGaN基材料深紫外出光效率的提高被引量：3
《发光学报》2014年第8期998-1002,共5页蔡钧安 秦志新 
国家重点基础研究发展计划(2012CB619301);国家高技术研究发展计划(2014AA032608)资助项目
通过利用阳极氧化铝的方法制备高度有序的光子晶体结构作为纳米压印模板,将大面积光子晶体图案转移到了样品表面,解决了国际上小尺寸光子晶体制备困难的问题。采用纳米压印的方法在AlGaN基样品表面上制备了290 nm的周期光子晶体结构,并...
关键词：出光效率 深紫外光 阳极氧化铝 光子晶体 偏振特性 
制备GaN基材料的数值模拟研究进展被引量：1
《云南师范大学学报（自然科学版）》2012年第1期25-30,共6页丁祥 许玲 高文峰 刘滔 林文贤 
国家自然科学基金资助项目(50879074;11072211);高等学校博士学科点专项科研基金(20105303110001);云南省应用基础研究计划(2011FN017);西部高原地区太阳能有效利用及可持续开发研究教育部创新团队发展计划资助项目
综述了紫外探测器的实际应用,特别介绍了紫外预警系统的作用原理;详细介绍了GaN基材料及其生长方法;对MOCVD法制备GaN基材料的过程做了详细描述,特别介绍了国内外MOCVD系统制备GaN基材料的数值模拟方法。
关键词：紫外探测器 GAN 金属有机物化学气相淀积 数值模拟 
GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文)被引量：1
《红外与毫米波学报》2010年第3期161-166,共6页储开慧 张文静 许金通 李向阳 
Supported by National Natural Science Foundation of China(60708027)
研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器...
关键词：电容-电压特性 肖特基器件 GAN基材料 
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