肖特基器件

作品数：18被引量：19H指数：3
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金刚石辐射伏特效应同位素电池器件研究进展被引量：3
《人工晶体学报》2022年第5期801-813,共13页刘本建 张森 郝晓斌 文东岳 赵继文 王伟华 刘康 曹文鑫 代兵 杨磊 韩杰才 朱嘉琦 
国家杰出青年科学基金(51625201)。
微机电系统、深空、深海探测任务等对于长效、便携电源提出了更高的要求。同位素电池由于其能量密度高、功率输出稳定,可以在高低温、无太阳光照等极端环境下持续不断地为月球车、海底探测器等提供能量。作为同位素电池中的主要类型,辐...
关键词：同位素电池 辐射伏特效应 金刚石 肖特基器件 开路电压 半导体换能结 转换效率 
肖特基器件的ESD能力改善方向分析
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2021年第11期407-409,共3页徐长坡 
本文作者采用工艺仿真、器件仿真来改善肖特基二极管的ESD能力,通过保护环工艺调整来验证实验结果。改善后的工艺条件下肖特基二极管的ESD能力显著提升。通过对于器件电流密度的调整来实现ESD能力的提升,虽然会带来轻微的反向耐压的降低...
关键词：肖特基器件 ESD能力 能力提升 
碳化硅肖特基器件多层金属化技术研究被引量：2
《微处理机》2021年第1期31-33,共3页赵欢 
碳化硅作为近年来迅速发展起来的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等优点,是制备大功率、高温、高频器件的理想材料。欧姆接触的实现是碳化硅器件制造工艺的关键。为保证欧姆...
关键词：碳化硅 二极管 金属化技术 肖特基 半导体器件 
碳化硅肖特基器件的氧化退火技术研究
《微处理机》2020年第5期14-16,共3页崔严匀 袁敏杰 王训辉 
为顺应碳化硅肖特基器件制造工艺日益成熟的趋势,对作为关键工艺的氧化退火技术展开研究,优化SiC/SiO2的界面电学参数从而提升整个器件的性能。基于理论分析,探索表面晶向与掺杂浓度、氧化速率等参数的影响。通过在不同工艺条件下进行...
关键词：碳化硅 氧化退火 肖特基 半导体器件 
基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性被引量：2
《物理学报》2020年第13期282-291,共10页龙泽 夏晓川 石建军 刘俊 耿昕蕾 张赫之 梁红伟 
大连市科技创新基金(批准号:2018J12GX060);国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600,2016YFB0400601)资助的课题.
本文制备了基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件,对该器件进行了温度特性I-V曲线测试.器件表现出了良好的二极管特性,随着温度从300 K升高至473 K,势垒高度从1.08 e V上升至1.35 e V,理想因子从1.32降低至1.19,二者表现出了...
关键词：氧化镓 机械剥离 肖特基二极管 温度特性 
低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺被引量：3
《科学技术与工程》2018年第36期205-210,共6页李明达 李普生 薛兵 
200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好...
关键词：硅外延层 晶体缺陷 均匀性 肖特基器件 
沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺被引量：1
《半导体技术》2016年第12期933-938,共6页李志栓 汤光洪 於广军 杨新刚 杨富宝 
深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线...
关键词：沟槽肖特基器件 Si深槽刻蚀 常温刻蚀 无缝回填 SF6/O2比例 
碳化硅肖特基器件技术研究
《微处理机》2016年第6期12-14,共3页赵欢 王国树 
针对碳化硅肖特基二极管的关键技术,促进国内碳化硅肖特基二极管有理论研究走向实际产品并向应用发展,力求解决碳化硅肖特基二极管设计及制造过程中的技术问题,深入分析氧化技术,刻蚀技术,掺杂技术,金属化技术等关键技术,研制出碳化硅...
关键词：碳化硅 二极管 肖特基 大功率 半导体 电子器件 
Littelfuse专为超低正向压降的硅肖特基器件
《世界电子元器件》2016年第3期24-24,共1页
Littelfuse公司迅速壮大的功率半导体产品组合再添新成员:专为超低正向压降(V_F)设计的硅肖特基器件。DST系列肖特基势垒整流器非常适合用于高频应用(如开关式电源)以及直流应用(如太阳能电池板旁路二极管和极性保护二极管),其设计目的...
关键词：正向压降 Littelfuse 肖特基势垒 结温 太阳能电池板 高频应用 功率半导体 产品组合 开关二极管 开关式 
GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文)被引量：1
《红外与毫米波学报》2010年第3期161-166,共6页储开慧 张文静 许金通 李向阳 
Supported by National Natural Science Foundation of China(60708027)
研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器...
关键词：电容-电压特性 肖特基器件 GAN基材料 
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