硅外延层

作品数：22被引量：43H指数：3
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硅外延生长反应腔内外延反应过程的数值仿真建模及实验研究
《机械工程学报》2024年第5期209-218,共10页邓世伟 沈文杰 陈宇宏 白天 梅德庆 汪延成 
国家自然科学基金(52175522);浙江省重点研发计划(2020C01034,2022C01041)资助项目。
硅外延片是大规模集成电路、半导体器件等的基础功能材料,是通过外延反应在单晶硅片上生长均匀的外延薄层。外延层的厚度和电阻率的均匀性控制是硅外延生长的关键技术难题,其生长质量受反应腔室的结构与热流场设计影响较大。基于单片式...
关键词：硅外延层 外延生长 化学气相沉积 热流场 反应腔室 
一种重掺衬底上生长硅外延层的工艺研究被引量：1
《天津科技》2020年第4期53-54,58,共3页傅颖洁 李明达 
随着肖特基势垒二极管对反向击穿电压一致性指标要求的进一步严格,对所需重掺衬底的硅外延层厚度和电阻率参数的均匀性指标提出了更高的要求。同时,为满足肖特基势垒二极管低正向压降的性能,对外延层过渡区宽度的控制难度加大。使用PE-2...
关键词：肖特基二极管 一致性 硅外延层 过渡区 
沟槽式肖特基用高均匀性硅外延支撑层高速生长工艺研究被引量：1
《电子元件与材料》2020年第2期51-57,共7页李明达 赵扬 李普生 王楠 
作为沟槽式肖特基芯片的关键支撑层,硅外延层的性质对芯片性能构成重要影响。系统探索了新式高速外延生长工艺制备硅外延层的方法。通过干涉显微镜、FT-IR、Hg-CV对硅外延层性质进行表征。研究了高速外延生长条件下的厚度均匀性、电阻...
关键词：硅外延层 高速沉积 厚度 电阻率 均匀性 晶体缺陷 
平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控
《科技风》2019年第9期78-78,共1页康军亮 
随着现代电子技术的飞速发展,电子元件的精细化程度也不断提高,加工工艺水平直接决定了电子元件的性能。本文结合平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控展开研究,通过实验方法阐述150mm大尺寸硅抛光片硅外延层特征,分别展开厚度均匀...
关键词：平板式外延炉 硅外延层 均匀性 调控方法 
一种重掺磷衬底上硅外延层的生长方法
《中国新技术新产品》2019年第4期28-29,共2页米姣 
为了使一种重掺杂磷衬底类型的硅外延层实际生长情况得到优化,应认识到新型生产工艺条件对外延层生长情况影响以及常规生产工艺条件的不足,并结合硅外延层实际生长需要,制定科学的生产工艺、条件优化方案。该文就一种重掺磷衬底类型硅...
关键词：重掺 过渡层 硅外延层 
低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺被引量：3
《科学技术与工程》2018年第36期205-210,共6页李明达 李普生 薛兵 
200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好...
关键词：硅外延层 晶体缺陷 均匀性 肖特基器件 
一种重掺P衬底上硅外延层的生长方法被引量：1
《科技创新与应用》2017年第24期13-14,共2页薛兵 陈涛 
文章采用化学气相沉积CVD方法[1],在EPI-PRO5000型平板式外延炉上,通过综合采取二次本征法、变流吹扫及低温外延沉积等工艺方法和手段,在5英寸<111>晶向,电阻率(0.7~1.5)×10-3Ω·cm重掺P衬底上,研究成功了一种N/N+型硅外延层的生长方...
关键词：肖特基二极管 一致性 硅外延层 过渡区 
平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控被引量：9
《电子元件与材料》2017年第3期38-41,共4页李明达 陈涛 李普生 薛兵 
硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层,结合傅里叶变换红外线光谱分析(FT-IR)、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平...
关键词：硅外延层 化学气相沉积 厚度 电阻率 均匀性 缺陷 
150mm掺P硅衬底外延层的制备及性能表征被引量：8
《固体电子学研究与进展》2017年第1期67-72,共6页李明达 李普生 
为适应肖特基二极管降低正向导通电压和制造成本的需要,采用150mm的掺P硅抛光片为衬底,通过化学气相沉积制备高阻硅外延层。利用傅里叶变换红外线光谱、电容-电压测试等方法对外延电学参数进行了测试和分析。对平板式外延炉的流场、热...
关键词：硅外延层 均匀性 非主动掺杂 肖特基二极管 正向导通电压 
CVD法制备高质量硅外延片的工艺研究被引量：3
《科技信息》2013年第22期435-437,共3页王文林 闫锋 李杨 陈涛 
本文采用化学气相沉积(CVD)法在单晶硅衬底上沉积硅外延层,同时研究了沉积工艺对外延层电阻率和厚度的影响规律。研究发现采用H2气变流量吹扫后可以有效抑制非主动掺杂,提高外延层电阻率的均匀性;衬底表面气流边界层厚度会对外延层的沉...
关键词：化学气相沉积 硅外延层 电阻率均匀性 厚度均匀性 
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