一种重掺P衬底上硅外延层的生长方法  

作　　者：薛兵[1] 陈涛[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《科技创新与应用》2017年第24期13-14,共2页Technology Innovation and Application

摘　　要：文章采用化学气相沉积CVD方法[1],在EPI-PRO5000型平板式外延炉上,通过综合采取二次本征法、变流吹扫及低温外延沉积等工艺方法和手段,在5英寸<111>晶向,电阻率(0.7~1.5)×10-3Ω·cm重掺P衬底上,研究成功了一种N/N+型硅外延层的生长方法,产出的硅外延片完全满足客户的使用要求。目前,该项研究成果已经应用于大规模生产中。

关 键 词：肖特基二极管 一致性 硅外延层 过渡区 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]