李明达

作品数：4被引量：14H指数：3
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发文主题：硅外延片硅外延层硅外延三氯氢硅外延层更多>>
发文领域：电子电信化学工程文化科学交通运输工程更多>>
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沟槽式肖特基用高均匀性硅外延支撑层高速生长工艺研究被引量：1
《电子元件与材料》2020年第2期51-57,共7页李明达 赵扬 李普生 王楠 
作为沟槽式肖特基芯片的关键支撑层,硅外延层的性质对芯片性能构成重要影响。系统探索了新式高速外延生长工艺制备硅外延层的方法。通过干涉显微镜、FT-IR、Hg-CV对硅外延层性质进行表征。研究了高速外延生长条件下的厚度均匀性、电阻...
关键词：硅外延层 高速沉积 厚度 电阻率 均匀性 晶体缺陷 
200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控被引量：5
《半导体技术》2018年第12期923-929,948,共8页李明达 
研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素。采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200mm外延层表面质量、厚度、电阻率...
关键词：硅外延片 电阻率 晶体缺陷 均匀性 垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS) 
6英寸高均匀性P型硅外延片的工艺研究被引量：4
《电子与封装》2015年第9期36-39,共4页吕婷 李明达 陈涛 
主要进行了6英寸(152.4 mm)高均匀性P型硅外延片的生产工艺研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上化学气相沉积P/P+型硅外延层。通过流场调节工艺、基座包硅工艺、变流量解吸工艺、两步生长工艺等关键工艺的改进,对非主动...
关键词：6英寸 均匀性 P型硅外延 非主动掺杂 
快速恢复外延二极管用硅外延片的工艺研究被引量：4
《电子与封装》2014年第11期37-40,共4页王文林 李扬 陈涛 李明达 
利用化学气相沉积方法制备所需硅外延层,通过FTIR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等多种测试方法获取外延层的几何参数、电学参数以及过渡区形貌。详细研究了本征层生长工艺与外延层厚度分布、电阻...
关键词：快恢复二极管 硅外延片 本征层生长 过渡区 
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