李扬

作品数：1被引量：4H指数：1
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发文主题：硅外延片外延片CCD器件晶体缺陷外延层生长更多>>
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快速恢复外延二极管用硅外延片的工艺研究被引量：4
《电子与封装》2014年第11期37-40,共4页王文林 李扬 陈涛 李明达 
利用化学气相沉积方法制备所需硅外延层,通过FTIR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等多种测试方法获取外延层的几何参数、电学参数以及过渡区形貌。详细研究了本征层生长工艺与外延层厚度分布、电阻...
关键词：快恢复二极管 硅外延片 本征层生长 过渡区 
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