CVD法制备高质量硅外延片的工艺研究  

作　　者：王文林[1] 闫锋 李杨[1] 陈涛[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所

出　　处：《科技信息》2013年第22期435-437,共3页Science & Technology Information

摘　　要：本文采用化学气相沉积(CVD)法在单晶硅衬底上沉积硅外延层,同时研究了沉积工艺对外延层电阻率和厚度的影响规律。研究发现采用H2气变流量吹扫后可以有效抑制非主动掺杂,提高外延层电阻率的均匀性;衬底表面气流边界层厚度会对外延层的沉积速率有显著的影响。通过对沉积工艺的控制可以得到电阻率和厚度均匀性良好的硅外延层。

关 键 词：化学气相沉积 硅外延层 电阻率均匀性 厚度均匀性 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]