基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性  

Charge Storage Characteristics of Nonvolatile Floating-Gate Memory Based on Gradual Ge_(1-x)Si_x/Si Heteronanocrystals

作　　者：闾锦[1] 陈裕斌[1] 左正[1] 施毅[1] 濮林[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系固体微结构国家实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第4期770-773,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60225014;90606021;60676006);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB0L1000)资助项目~~

摘　　要：利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.Gradual Ge1-xSix/Si hetero-nanocrystals on ultrathin SiO2 layers were fabricated by combining self-assembled growth and the selective chemical etching method. Charge storage characteristics of nonvolatile floating-gate memory based on gradual Ge1- x Six / Si hetero-nanocrystals have been fabricated and investigated through capacitance-voltage （C-V） and capacitance-time （C-t） measurements. The findings indicate that holes reach a longer retention time in gradual Ge1-x Six/Si hetero-nanocrystals,which can be attributed to the holes trapped solidly on the side of the higher valence band of the compound potential barrier caused by the offset between Ge and Si.

关 键 词：异质纳米晶 非易失浮栅存储器 电容-电压特性 自组织生长 选择化学刻蚀 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]