深亚微米金属硅化技术及其在设计中的应用  

作　　者：沈磊 

机构地区：[1]上海复旦微电子股份有限公司

出　　处：《集成电路应用》2003年第4期76-81,共6页Application of IC

摘　　要：本文在引入金属硅化物基本特性的基础上,阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物-TiSi_2和CoSi_2在深亚微米技术中形成的机理及关键点,特别介绍了所谓"自对准硅化物"形成方式(Self-Aligned Silicide-salicide)的原理及工艺过程,着重讨论了受"窄线宽效应"等影响时,TiSi_2等金属硅化物出现异常情况的原因,并针对性地给出了一些解决策略。与此同时,也讨论了在芯片设计时如何进行合理的单元拓扑结构设计,以期使金属硅化物发挥更大的效用等问题。

关 键 词：金属硅化物 深亚微米技术 自对准硅化物 窄线宽效应 集成电路设计 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]