刘允

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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：CMOS集成电路CMOS工艺亚微米高低压兼容硅化物更多>>
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基于0.5μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究
《电子与封装》2007年第9期22-25,共4页刘允 赵文彬 
将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层...
关键词：高压MOS器件 低压MOS器件 0.5μm CMOS工艺 工艺兼容技术 
亚微米自对准硅化物工艺开发
《电子与封装》2006年第3期37-39,共3页刘允 陈海峰 
文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述。文中以实际生产为目标, 以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1 温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准。
关键词：自对准硅化物 硅化物桥 电阻率 转移曲线 RTP退火 
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