电荷泵技术

作品数：13被引量：7H指数：2
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基于电荷泵技术的栅控横向晶体管在氢氛围中的辐照损伤增强机制
《现代应用物理》2022年第1期164-171,共8页缑石龙 马武英 姚志斌 何宝平 盛江坤 王祖军 薛院院 
国家自然科学基金资助项目(11690040,11690043);强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1802Z)。
以栅控横向PNP(gate-controlled lateral PNP,GCLPNP)晶体管为载体,开展了在不同浓度氢氛围中的辐照实验,研究了氢气对双极器件总剂量辐射效应的影响规律。并利用电荷泵技术,分离得到GCLPNP晶体管辐照后产生的界面陷阱浓度和氧化物陷阱...
关键词：GCLPNP晶体管 电荷泵 氢气 界面陷阱 氧化物陷阱电荷 
基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究被引量：2
《半导体技术》2019年第7期542-547,共6页田阳雨 罗军 金鹰 吴元芳 
国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315001)
利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似'U'型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺...
关键词：电荷泵技术 缺陷能级分布 缺陷空间分布 三维器件 负偏压温度不稳定性(NBTI) 
EEPROM低功耗设计中的时分高压电荷泵技术
《中国集成电路》2018年第7期26-31,50,共7页常迎辉 李晓明 刘伟 何方 
本文针对超高频射频识别(RFI D)标签设计了一款低功耗存储器,以满足RFI D标签低功耗的要求。由于无源标签通过天线获得的能量有限,为了得到更远的通信距离,标签对功耗提出了严格要求。针对传统CTS电荷泵上电时峰值电流过高的问题,设计...
关键词：标签 存储器 低功耗 电荷泵 峰值电流 
氢气在金属合金制程中对MOSFET界面态的影响
《科技视界》2014年第9期50-51,共2页刘洁薇 郁志芳 曾红林 
金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的界面态影响器件的正常性能发挥。本文采用在合金制程中通入氢气的方法,并通过电荷泵(Charge Pumping)技术手段测量定性,反映氢气在金属合金(Metal Alloy)制程中对界面态的改善作用。实验结果表...
关键词：氢气 表面态 电荷泵技术 H2 
电荷泵技术在CMOS工艺中的应用研究
《微电子学》2012年第5期710-715,720,共7页胡伟佳 孔学东 章晓文 
随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态的传统方法受到限制。介绍了电荷泵技术在表征深亚微米和超深亚微米器件Si/SiO2界面特性方面的应用;详述如何测量界面态和氧化层...
关键词：电荷泵 界面态 氧化层陷阱电荷 空间分布 能量分布 
基于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法被引量：1
《半导体技术》2012年第3期235-239,共5页胡伟佳 孔学东 章晓文 
随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,导致栅漏电流不断增大,这使传统测量界面态的方法应用受到限制。介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si/SiO2界面特性研究,分别研究了脉冲频率、反偏置电压、脉冲幅值和占空比对泵电流的影响,对...
关键词：电荷泵技术 脉冲频率 反偏压 脉冲幅值 占空比 
电荷泵技术在高压MOS晶体管可靠性研究中的应用(英文)被引量：3
《电子器件》2009年第6期1023-1026,共4页禹玥昀 唐逸 万星拱 任铮 胡少坚 周伟 李曦 石艳玲 
This work was supported by Foundation of Shanghai Science&Technology Committee Grants 075007033 and 08706200802;上海市科委启明星项目资助(07QB14018,08706200802)
主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变...
关键词：电荷泵 界面缺陷密度 高压MOS 热载流子注入 
MAX14515：液体镜头驱动器
《世界电子元器件》2009年第1期46-46,共1页
Maxim推出用于自动对焦（AF）相机模块的DC/AC液体镜头驱动器MAX14515。MAX14515通过12C接口控制，提供高压差分输出。器件采用电荷泵技术，减少了通常相机模块中自动对焦驱动器所需的外部器件数量。MAX14515将I^2C接口和电荷泵集成在微...
关键词：液体镜头 驱动器 电荷泵技术 I^2C接口 自动对焦 DC/AC Maxim 接口控制 
0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术(英文)
《功能材料与器件学报》2008年第3期702-706,共5页王庆学 
Shanghai Postdoctoral Scientific Program(No.06R214210).
分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制。结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素。界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导...
关键词：SEEI 界面缺陷 电荷泵 
电荷泵技术在G类放大器中的应用
《国外电子元器件》2008年第4期76-77,共2页
1 引言 便携音频应用中存在一个共同问题，即扬声器放大器的供电电压有限。这些音频系统通常采用锂离子（Li＋）电池供电，输出额定值为3．7V。虽然3．7V电源足以保证系统的大多数元件正常工作，但是，为了提供令人满意的声压。扬声器...
关键词：放大器 电荷泵技术 应用 供电电压 音频系统 电池供电 保证系统 扬声器 
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