李曦

作品数：6被引量：3H指数：1
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供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文主题：MOSFET版图品质因子损耗射频更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子器件》更多>>
所获基金：国家科技重大专项上海市青年科技启明星计划上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
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一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型
《电子器件》2012年第3期267-270,共4页汪明娟 李曦 张孟迪 任铮 胡少坚 石艳玲 
国家科技部重大专项项目
描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型。该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数。模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并...
关键词：版图相关 应力模型 栅极多晶硅 PSP模型 
隔层不交叠多层电感分析与设计
《电子器件》2011年第6期641-644,共4页祝文韬 李小进 蔡静 胡少坚 王勇 李曦 石艳玲 
国家重大科技专项(2009ZX02023-2-1);上海市科委启明星计划(09QB1402000)
提出了一种隔层不重叠的新型结构片上螺旋电感,其实现工艺与标准CMOS多层布线技术兼容。结合螺旋电感的集总模型,利用电磁场仿真软件HFSS进行了该器件的模拟仿真,与相同结构参数和工艺参数的传统不隔层交叠多层电感相比,提出的新型电感...
关键词：多层电感 品质因子 HFSS仿真 损耗 
尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化
《电子器件》2011年第5期489-493,共5页任铮 李曦 彭兴伟 胡少坚 石艳玲 赵宇航 
上海科技人才培养计划;启明星项目(09QB1402000)
通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方...
关键词：RFMOSFET PSP模型 射频 65nm 
N_2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究
《电子器件》2011年第1期36-39,共4页周群 林钢 李曦 沈国飞 曹刚 石艳玲 
国家科技重大专项课题资助(2009ZX02023-2-1)
SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关。通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程中增加适当的N2O退火工艺,改善了器件的擦除深度和编程速度,从而使得SONOS器件的存储器...
关键词：SONOS(硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅) 退火工艺 电荷保持性能 界面态 
电荷泵技术在高压MOS晶体管可靠性研究中的应用(英文)被引量：3
《电子器件》2009年第6期1023-1026,共4页禹玥昀 唐逸 万星拱 任铮 胡少坚 周伟 李曦 石艳玲 
This work was supported by Foundation of Shanghai Science&Technology Committee Grants 075007033 and 08706200802;上海市科委启明星项目资助(07QB14018,08706200802)
主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使用这种方法,我们可以精确描述器件损伤的位置和程度,以及可以精确评估由于HCI效应引起的界面缺陷的变...
关键词：电荷泵 界面缺陷密度 高压MOS 热载流子注入 
片上螺旋电感集总模型中衬底因子的分析与拟合
《电子器件》2009年第3期550-553,共4页陈大为 石艳玲 李曦 王鹏 刘婧 丁艳芳 
国家自然科学基金资助(60676047;60606010);上海市科委项目资助(075007033;08706200802)
石英、高阻SOI、高阻硅等衬底上实现的电感具有比低电阻率衬底的电感更优的高频性能,因而研究基于不同衬底的电感性能,并在高频模型中进行精确的衬底因子表征就显得十分重要。综合考虑高频下的趋肤效应和邻近效应及衬底电磁损耗对电感...
关键词：片上螺旋电感 集总模型 衬底因子 趋肤效应和邻近效应 
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