尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化  

Extraction and Optimization of 65 nm Scalable Multi-Finger RF CMOS Model

作　　者：任铮[1,2] 李曦[2] 彭兴伟[1] 胡少坚[1] 石艳玲[2] 赵宇航[1] 

机构地区：[1]上海集成电路研发中心,上海201210 [2]华东师范大学电子工程系,上海200241

出　　处：《电子器件》2011年第5期489-493,共5页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：上海科技人才培养计划;启明星项目(09QB1402000)

摘　　要：通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能。By modifying the STI parameters,introducing and extracting the probe resistance,and proposing a scalable equation of source drain parasitic resistance in CMOS PSP DC core model,this paper presents a 65 nm Scalable Multi-Finger RF CMOS Model and its extraction and optimization method.This model and its extraction method are experimentally validated to accurately predict the characteristics of MOSFETs up to 14 GHz.

关 键 词：RFMOSFET PSP模型 射频 65nm 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]