汪明娟

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供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文主题：版图多晶硅栅极MOSFETPSP更多>>
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一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型
《电子器件》2012年第3期267-270,共4页汪明娟 李曦 张孟迪 任铮 胡少坚 石艳玲 
国家科技部重大专项项目
描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型。该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数。模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并...
关键词：版图相关 应力模型 栅极多晶硅 PSP模型 
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