一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型  

A New Layout-Dependence PSP Stress Model for 45 nm MOSFET Electrical Simulation

作　　者：汪明娟[1] 李曦[1] 张孟迪[1] 任铮[1,2] 胡少坚[2] 石艳玲[1] 

机构地区：[1]华东师范大学电子工程系,上海200241 [2]上海集成电路研发中心,上海201210

出　　处：《电子器件》2012年第3期267-270,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家科技部重大专项项目

摘　　要：描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型。该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数。模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并且根据模型确定晶体管线性漏极电流Idlin、饱和漏极电流Idsat、线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat随着以上两种版图效应的变化曲线。This paper reports and demonstrates a new layout-dependent PSP stress model for 45nm MOSFET electronic simulation.This model takes into account two poly related layout effects,including the space of adjacent poly-silicon and the number of dummy poly.The model redefines the two basic parameters of PSP model：μ0 and VFB0.Besides,the typical Idlin、Idsat 、Vtlin and Vth fluctuation as a function of layout effect are also plotted according to this model.

关 键 词：版图相关 应力模型 栅极多晶硅 PSP模型 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]