王鹏

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文主题：CVD高密度等离子体化学气相淀积介质淀积更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《电子器件》更多>>
所获基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
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HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究被引量：1
《电子器件》2009年第3期526-528,共3页王鹏 卜皎 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲 
国家自然科学基金资助(60676047,60606010);上海市科委资助(075007033,08706200802)
高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束...
关键词：等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导 
片上螺旋电感集总模型中衬底因子的分析与拟合
《电子器件》2009年第3期550-553,共4页陈大为 石艳玲 李曦 王鹏 刘婧 丁艳芳 
国家自然科学基金资助(60676047;60606010);上海市科委项目资助(075007033;08706200802)
石英、高阻SOI、高阻硅等衬底上实现的电感具有比低电阻率衬底的电感更优的高频性能,因而研究基于不同衬底的电感性能,并在高频模型中进行精确的衬底因子表征就显得十分重要。综合考虑高频下的趋肤效应和邻近效应及衬底电磁损耗对电感...
关键词：片上螺旋电感 集总模型 衬底因子 趋肤效应和邻近效应 
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