孔学东

作品数：35被引量：73H指数：4
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发文领域：电子电信机械工程经济管理自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《计算机与信息处理标准化》《微电子学》《中国集成电路》《固体电子学研究与进展》更多>>
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我国可信性标准分析及其体系设计被引量：4
《中国标准化》2018年第15期74-80,共7页于敏 孔学东 王积鹏 纪春阳 杨春晖 
本文介绍了可信性技术发展以及标准化发展历程,分析了IEC/TC 56可信性标准体系,可分为核心标准、过程标准、支撑标准以及相关标准四个层次,并分析了IEC/TC 56已发布或正在制修订的以及国际上相关的可信性标准在标准体系中的位置;同时,...
关键词：可信性 IEC/TC 56 标准体系 标准体系表 标准化工作 
电荷泵技术在CMOS工艺中的应用研究
《微电子学》2012年第5期710-715,720,共7页胡伟佳 孔学东 章晓文 
随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态的传统方法受到限制。介绍了电荷泵技术在表征深亚微米和超深亚微米器件Si/SiO2界面特性方面的应用;详述如何测量界面态和氧化层...
关键词：电荷泵 界面态 氧化层陷阱电荷 空间分布 能量分布 
基于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法被引量：1
《半导体技术》2012年第3期235-239,共5页胡伟佳 孔学东 章晓文 
随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,导致栅漏电流不断增大,这使传统测量界面态的方法应用受到限制。介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si/SiO2界面特性研究,分别研究了脉冲频率、反偏置电压、脉冲幅值和占空比对泵电流的影响,对...
关键词：电荷泵技术 脉冲频率 反偏压 脉冲幅值 占空比 
利用高频C-V特性评价CMOS工艺被引量：1
《半导体技术》2010年第4期383-387,共5页熊海 孔学东 章晓文 汪顺婷 
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容...
关键词：MOS电容 界面态 高频C-V测试 
电子产品PHM及其关键技术被引量：10
《中国质量》2010年第3期15-18,共4页孔学东 陆裕东 恩云飞 
一、PHM技术的发展 （一）含义。 故障预测和健康管理（Prognostics and Health Management，PHM）技术以失效物理为基础，用于预测和评估产品（或系统）在实际环境中的可靠性。PHM技术作为实现系统基于状态的维修、自主式保障、感知...
关键词：电子产品 技术 故障预测 健康管理 可靠性 自主式 系统 
MOS结构电容高频C-V特性的应用被引量：5
《半导体技术》2010年第1期94-98,共5页熊海 孔学东 章晓文 
CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的...
关键词：MOS电容 电荷密度 界面态 高频C-V 
SiGe HBT的热载流子效应评价
《华南理工大学学报（自然科学版）》2009年第5期23-26,42,共5页林晓玲 孔学东 恩云飞 章晓文 姚若河 
模拟集成电路国家重点实验室开放基金资助项目(51439030105DZ1504)
电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价S...
关键词：硅锗异质结晶体管 电流加速 可靠性 热载流子效应 
裸芯片封装技术的发展与挑战被引量：7
《电子与封装》2008年第9期1-3,7,共4页吴少芳 孔学东 黄云 
随着IC制造技术的发展,传统的封装形式已经不能够满足集成电路对于高性能、高集成度、高可靠性的要求。裸芯片由于其本身具有的特点而被广泛应用于HIC/MCM等新型的封装形式中。文章的目的在于分析使用裸芯片所带来的技术优势和存在的一...
关键词：裸芯片 多芯片组件 已知良好芯片 
微波裸芯片的测试技术被引量：4
《电子产品可靠性与环境试验》2008年第4期55-58,共4页吴少芳 孔学东 黄云 
鉴于目前对微波裸芯片的旺盛需求,介绍了几种测试技术,主要包括探针台测试技术、夹具测试技术和非侵入式测试技术,并对不同的测试技术进行了对比,分析了各种测试方法的优缺点及存在的问题。
关键词：裸芯片 微波单片集成电路 夹具 探针 
电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第1期149-152,共4页刘洁 周继承 罗宏伟 孔学东 恩云飞 师谦 何玉娟 林丽 
实验室基金项目(批准号:9140C0306010604);重点基金项目(批准号:A1220060979)资助项目~~
采用10keVX射线研究了部分耗尽SOIMOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产...
关键词：X射线 SOI MOSFETS 部分耗尽 KINK效应 总剂量效应 
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