深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取  

Analysis and Parameters Extraction of Deep Submicrometre MOS Device Model BSIM2

作　　者：陈勇[1,2] 钟玲[1,2] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子科学与工程系 [2]北京信息工程学院

出　　处：《电子科技大学学报》1997年第5期487-491,共5页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

基　　金：电子部预研基金

摘　　要：详细分析了适用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ设计的深亚微米ＢＳＩＭ２ＭＯＳ器件模型，并在深入讨论短沟道ＭＯＳ器件物理效应的基础上，对沟道长１μｍ栅氧化层厚度２５ｎｍ的ｎＭＯＳＦＥＴ进行了测试和ＢＳＩＭ２模型参数的提取，且对结果进行了分析和讨论。结果表明，ＢＳＩＭ２具有精确、参数易提取、计算速度快的特点，是ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ模拟设计的重要工具之一。A deep submicrometre MOS device model BSIM2 is analyzed in this paper.Based on the discussion of physical effects of short channel devices,a nMOSFET with channel length 1 μm and gate oxides thick ness 25 nm is measured and its BSIM2 parameters are extracted.The results are analyzed,which show that BSIM2 is one of the important tools for VLSI/ULSI design.

关 键 词：深亚微米 集成电路 计算机辅助设计 VLSI/ULSI 

分 类 号：TN470.2[电子电信—微电子学与固体电子学]