樊崇德

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高浓度离子注入砷隐埋层技术
《微处理机》1996年第2期22-24,共3页樊崇德 陆剑侠 张沈军 陶星 袁凯 
高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比，具有表面浓度高，硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平的“DYL多元逻辑八位高速机频D／A转换器”集成电路。
关键词：离子注入 隐埋层 双极型集成电路 砷 集成电路 
多晶硅发射极技术在八位高速视频DAC中的应用
《微处理机》1996年第1期62-64,共3页樊崇德 王怀荣 陆剑侠 朱宝法 张沈军 
掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结是提高fT及双极集成电路工作速度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、退火及刻蚀工艺研究，确定制造高fT及β值的NPN晶体管最佳工艺条件及参数控制，研制出速度小于4ns...
关键词：数-模转换器 视频 DAC 多晶硅发射极 
DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器分析与测试
《微处理机》1995年第4期9-12,共4页王怀荣 金娜 樊崇德 粟学中 伍学阳 王忆文 
本文介绍了我国最新研制成功的DYL多元逻辑八位高速视频D／A转换器，对其结构特点和工作原理进行分析，并初步探讨了D／A转换器的CAT技术。
关键词：数-模转换器 DYL 视频 分析 测试 
VLSI/ULSI制造中颇具前景的涂敷介质成膜技术被引量：5
《微处理机》1995年第3期4-7,共4页张沈军 李婉莹 陶星 樊崇德 
本文就目前国际上流行的两种最为主要的旋涂成膜材料－光敏聚酰亚胺和SOG的理化性能、使用特点及其国内相关技术现状与今后的发展情况加以综述。
关键词：VLSI ULSI 集成电路 制造 涂敷介质 成膜 
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