短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究  

Research on Shot Noise Measurement for Short-channel MOSFET Devices

作　　者：郑磊[1] 杜磊[1] 陈文豪[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071

出　　处：《电子科技》2009年第11期101-103,共3页Electronic Science and Technology

基　　金：国家部委"十一五"预研基金资助项目(51312060104);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200603)

摘　　要：针对MOSFET散粒噪声难以测量的特点,提出了一种低温散粒噪声测试方法。在屏蔽环境下,将被测器件置于低温装置内,有效抑制了外界电磁波和热噪声的干扰,采用背景噪声足够低的放大器以及偏置器、适配器等,建立低温散粒噪声测试系统。应用本系统对短沟道MOSFET器件进行噪声测试,分析该器件散粒噪声的特性。In view of the difficulty to measure shot noise in the short-channel MOSFET,this paper proposes a low temperature system,in which the device to be measured is put into a low temperature device in the shielding room in order to restrain the electromagnetic wave and thermal noise.The system adopts low noise amplifiers,adapters,and so on.Shot noise in the short-channel MOSFET is measured by this system with good results.

关 键 词：散粒噪声 扩散电流 沟道噪声 低温装置 

分 类 号：TN407[电子电信—微电子学与固体电子学]