游雪兰

作品数：8被引量：29H指数：2
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：IGBT功率MOSFET功率器件槽栅IGBT模块更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《电子器件》《变频器世界》《电力电子》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较被引量：8
《电子器件》2009年第3期529-533,共5页游雪兰 吴郁 胡冬青 贾云鹏 张彦飞 亢宝位 
国家自然科学基金资助(60676049)
首次对600V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较。ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区...
关键词：内透明集电极 ITC-IGBT PT-IGBT FS-IGBT 
硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展被引量：17
《电子器件》2009年第3期538-546,共9页张彦飞 吴郁 游雪兰 亢宝位 
国家自然科学基金资助(60676049)
综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展。介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明。
关键词：功率器件 结终端 击穿电压 
第六代1200V槽栅FS-IGBT模块
《变频器世界》2008年第9期61-64,共4页游雪兰 吴郁 张彦飞 
本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被...
关键词：IGBT模块 槽栅 模块技术 封装技术 噪声辐射 模块设计 集成模块 额定值 
用于可持续发展的电能变换器应用的功率器件
《电力电子》2008年第3期12-18,共7页张彦飞 吴郁 游雪兰 
本文第一部分评论了当前最新的一些关键技术,涉及功率器件的进展和它们对功率变换应用的贡献,重点放在IGBT和智能功率模块技术上。后一部分讨论了功率模块发展的新领域,包括满足未来应用需要的SiC功率器件的前景。
关键词：功率器件 电能变换器 可持续发展 应用 模块技术 功率变换 IGBT 功率模块 
第六代1200V槽栅FS-IGBT模块被引量：2
《电力电子》2008年第3期50-54,共5页游雪兰 吴郁 张彦飞 
本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被...
关键词：IGBT模块 槽栅 模块技术 封装技术 噪声辐射 模块设计 集成模块 额定值 
线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC)：理论研究、测试和仿真被引量：2
《电力电子》2008年第1期37-41,共5页张彦飞 游雪兰 吴郁 
本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。
关键词：功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区 迁移率模型 沟道 
用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
《变频器世界》2008年第1期54-57,共4页游雪兰 吴郁 张彦飞 
如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了...
关键词：IGBT 功率MOSFET 栅驱动器 
用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
《电力电子》2007年第6期37-40,共4页游雪兰 吴郁 张彦飞 Jan Thalheim Heinz Redi 
如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了...
关键词：功率MOSFET IGBT 栅驱动器 通用芯片 高压大电流 开关特性 可扩展性 集成化 
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