第六代1200V槽栅FS-IGBT模块  

The 6th Generation 1200V Trench Field-Stop IGBT Modules

作　　者：游雪兰[1] 吴郁[1] 张彦飞[1] 

机构地区：[1]北京工业大学

出　　处：《电力电子》2008年第3期50-54,共5页Power Electronics

摘　　要：本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V-150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。

关 键 词：IGBT模块 槽栅 模块技术 封装技术 噪声辐射 模块设计 集成模块 额定值 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TN386.1