内透明集电极

作品数：12被引量：17H指数：3
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电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真
《半导体技术》2016年第2期107-113,158,共8页李哲 胡冬青 金锐 贾云鹏 谭健 周璇 赵豹 
国家自然科学基金资助项目(61176071);国家电网科技项目(SGR1-WD-71-14-005;5455DW150012)
针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 电荷耦合 内透明集电极 导通压降 折中特性 
600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期908-916,共9页苏洪源 胡冬青 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC...
关键词：p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储层 p型埋层 槽栅 
IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
《半导体技术》2014年第2期114-118,141,共6页周新田 吴郁 胡冬青 贾云鹏 张惠惠 穆辛 金锐 刘钺杨 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点基金新教师项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改...
关键词：载流子局域寿命控制层(LCLC) 内透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC—IGBT) 缓冲层局域寿命控制IGBT 折中特性 回跳现象 
600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真被引量：3
《半导体技术》2013年第10期745-749,775,共6页张惠惠 胡冬青 吴郁 贾云鹏 周新田 穆辛 
教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016)
针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明集电极IGBT。采用仿真工具ISE-TCAD,对PNM-ITC-IGBT的导通特性...
关键词：绝缘栅双极晶体管（IGBT） 内透明集电极（ITC） 槽栅 点注入 局部窄台面（PNM） 
内透明集电极IGBT开关特性及短路特性仿真研究
《智能电网》2013年第2期27-30,共4页张惠惠 胡冬青 周新田 周东海 穆辛 查祎英 
国家自然科学基金项目(61176071)~~
针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命...
关键词：内透明集电极绝缘栅双极型晶体管 开关特性 短路特性 仿真研究 
基于内透明集电极技术的超结IGBT仿真研究被引量：1
《电力电子技术》2012年第12期57-59,共3页周东海 胡冬青 李立 魏峰 
国家自然科学资金资助项目(61176071)~~
基于内透明集电极(ITC)IGBT技术,提出了一种ITC超结IGBT(SJ-IGBT)结构。利用器件仿真工具,研究了SJ-IGBT的导通、开关、短路特性,并与普通平面栅ITC-IGBT技术指标进行了对比。仿真重点侧重于局域载流子寿命控制层(LCLC)位置和控制层内...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 超结 内透明集电极 
内透明集电极IGBT短路特性研究被引量：1
《电力电子》2011年第3期41-43,共3页胡冬青 吴郁 贾云鹏 
内透明集电极(Internal Transparent Collector,简称ITC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新一类IGBT,其特点是在传统穿通型(PT)IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)区,从物理上"屏蔽"厚衬底中空穴的注入,使集...
关键词：内透明集电极 短路特性 IGBT 
内透明集电极绝缘栅双极晶体管温度特性的仿真研究被引量：1
《电力电子》2010年第2期56-60,共5页胡冬青 吴郁 
ITC-IGBT是新一类IGBT,它在PT-IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)层,只要该层内载流子寿命足够低,则LCLC层对其以下衬底内的空穴具有"屏蔽"作用,从而使集电区范围变窄、集电区电子有效扩散长度减小,...
关键词：内透明集电极 ITC-IGBT PT-IGBT 
内透明集电极IGBT的制造及理论模型
《电力电子技术》2010年第3期82-84,共3页刘茵 胡冬青 吴郁 亢宝位 
国家自然科学基金资助项目(60676049)~~
给出了一种600V内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)的制造方法,它以传统穿透型IGBT(PT-IGBT)的工艺为基础,但在外延前先进行高剂量氦离子注入及退火,从而在器件集电区近集电结附近引入一个纳米空腔层。该纳米空腔层内载流子寿命很低,在物理上...
关键词：绝缘栅双极晶体管 内透明集电极 理论模型 
内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较被引量：8
《电子器件》2009年第3期529-533,共5页游雪兰 吴郁 胡冬青 贾云鹏 张彦飞 亢宝位 
国家自然科学基金资助(60676049)
首次对600V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较。ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区...
关键词：内透明集电极 ITC-IGBT PT-IGBT FS-IGBT 
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