内透明集电极IGBT短路特性研究  

Short Circuit Ability Research of Internal Transparent Collector IGBT

作　　者：胡冬青[1] 吴郁[1] 贾云鹏[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电控学院

出　　处：《电力电子》2011年第3期41-43,共3页Power Electronics

摘　　要：内透明集电极(Internal Transparent Collector,简称ITC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新一类IGBT,其特点是在传统穿通型(PT)IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)区,从物理上"屏蔽"厚衬底中空穴的注入,使集电区范围变窄、集电区少子有效扩散长度减小,器件集电区由非透明变成内透明。本论文针对600V平面栅ITC IGBT的短路特性进行仿真研究,重点讨论LCLC区的位置及LCLC区内载流子寿命对器件短路的影响。结果显示,对一定的载流子寿命,随着LCLC区距集电结距离减小,器件短路性能增强;而对固定的LCLC区位置,随着LCLC区内载流子寿命降低,器件短路性能进一步改善。所有这些最终都可以归结于背发射极效率的影响。

关 键 词：内透明集电极 短路特性 IGBT 

分 类 号：TM721.1[电气工程—电力系统及自动化]