谭健

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：快恢复二极管电子辐照IGBTDLTS铂更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《北京工业大学学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家电网公司科技项目国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
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600V槽栅IGBT优良性能的机理分析
《北京工业大学学报》2016年第9期1313-1317,共5页吴郁 周璇 金锐 胡冬青 贾云鹏 谭健 赵豹 李哲 
国家自然科学基金资助项目(61176071);国家电网公司科技项目(5455DW150012)
槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善,为了论证这一问题,采用仿真工具Sentaurus TCAD,针对600 V的Trench IGBT和Planar IGBT两种结构的阻断...
关键词：绝缘栅双极晶体管(insulate gate BIPOLAR transistor IGBT) 槽栅 平面栅 通态压降 关断损耗 
电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真
《半导体技术》2016年第2期107-113,158,共8页李哲 胡冬青 金锐 贾云鹏 谭健 周璇 赵豹 
国家自然科学基金资助项目(61176071);国家电网科技项目(SGR1-WD-71-14-005;5455DW150012)
针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 电荷耦合 内透明集电极 导通压降 折中特性 
掺铂和电子辐照对快恢复二极管性能的影响被引量：2
《半导体技术》2016年第1期37-41,共5页赵豹 贾云鹏 吴郁 胡冬青 周璇 李哲 谭健 
中国教育部博士基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(5455DW140003)
寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化。通过高能电子辐照和扩铂对1 200 V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子辐照样品在...
关键词：寿命控制 扩铂 电子辐照 快恢复二极管(FRD) 深能级瞬态谱(DLTS) 
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