穆辛

作品数：6被引量：8H指数：2
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：IGBT内透明集电极ITC槽栅绝缘栅双极晶体管更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《电子科技》《半导体技术》《电力电子》《电源世界》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目国家自然科学基金更多>>
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不同碳化硅器件的直接比较被引量：1
《电源世界》2014年第7期35-39,共5页张惠惠 周新田 穆辛 Bettina Rubino Michele Macauda Massimo Nania Simion Buonome 
本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作对比。全面比较了3种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围(1A^7A)的动态...
关键词：SIC MOSFET SIC JFET SIC BJT 
一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真被引量：2
《电子科技》2014年第4期58-59,63,共3页穆辛 周新田 张慧慧 金锐 刘钺杨 吴郁 
国家电网公司科技基金资助项目(SGRI-WD-7113-006)
传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,...
关键词：输入电压 振荡频率 压控振荡器 
IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
《半导体技术》2014年第2期114-118,141,共6页周新田 吴郁 胡冬青 贾云鹏 张惠惠 穆辛 金锐 刘钺杨 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点基金新教师项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改...
关键词：载流子局域寿命控制层(LCLC) 内透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC—IGBT) 缓冲层局域寿命控制IGBT 折中特性 回跳现象 
600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真被引量：3
《半导体技术》2013年第10期745-749,775,共6页张惠惠 胡冬青 吴郁 贾云鹏 周新田 穆辛 
教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016)
针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明集电极IGBT。采用仿真工具ISE-TCAD,对PNM-ITC-IGBT的导通特性...
关键词：绝缘栅双极晶体管（IGBT） 内透明集电极（ITC） 槽栅 点注入 局部窄台面（PNM） 
不同碳化硅器件的直接比较
《电力电子》2013年第3期46-49,32,共5页Bettina Rubino Michele Macauda Massimo Nania Simion Buonome 张惠惠 周新田 穆辛 
本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A...
关键词：SIC MOSFET SIC JFET SIC BJT 
内透明集电极IGBT开关特性及短路特性仿真研究
《智能电网》2013年第2期27-30,共4页张惠惠 胡冬青 周新田 周东海 穆辛 查祎英 
国家自然科学基金项目(61176071)~~
针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命...
关键词：内透明集电极绝缘栅双极型晶体管 开关特性 短路特性 仿真研究 
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