不同碳化硅器件的直接比较  

Direct Comparison Among Different Technologies in Silicon Carbide

作　　者：Bettina Rubino Michele Macauda Massimo Nania Simion Buonome 张惠惠[2] 周新田[2] 穆辛[2] 

机构地区：[1]STMicroelectronics,Stradale Primosole 50 Catania,Italy [2]北京工业大学电控学院

出　　处：《电力电子》2013年第3期46-49,32,共5页Power Electronics

摘　　要：本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiC MOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiC MOSFET的总动态损耗远远低于SiC BJT和常闭型SiC JFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiC MOSFET是最好的选择。

关 键 词：SIC MOSFET SIC JFET SIC BJT 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]