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作 者:穆辛[1] 周新田[1] 张慧慧[1] 金锐[1] 刘钺杨[1] 吴郁[1]
机构地区:[1]北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室,北京100124
出 处:《电子科技》2014年第4期58-59,63,共3页Electronic Science and Technology
基 金:国家电网公司科技基金资助项目(SGRI-WD-7113-006)
摘 要:传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。Traditional Schmitt too high and the maximum value of trigger type VCO has two main problems: the minimum value of input voltage is oscillating frequency is too low. To solve these two problems, this article intro- duces a Schmitt trigger type VCO with new structure of charging and discharging circuits, and simulates it with the implementation of the 0. 18 μm technology. The result shows that the minimum value of input voltage of new VCO has decreased considerably while the maximum value of oscillating frequency has boosted obviously compared with the traditional Schmitt type VCO.
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
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